成膜装置及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供成膜装置及基板处理装置。成膜装置包括：多个处理区域，在旋转台的旋转方向上相互分开地设置；多个反应气体供给部件，向多个处理区域分别供给种类互不相同的反应气体；分离区域，在旋转方向上位于处理区域之间，将多个处理区域的气氛气体相互分离，设有用于供给分离气体的分离气体供给部件；多个排气口，设在处理容器上，分别排出多个处理区域的气氛气体；排气路径形成构件，针对每个处理区域独立地形成开口部和排气路径，使得所排出的各个处理区域的气氛气体彼此不会混合，开口部分别开设于多个处理区域，排气路径将处理区域的气氛气体从各个开口部向所对应的排气口引导，能利用排气路径形成构件来改变开口部在旋转方向上的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种成膜装置及基板处理装置。
技术介绍
作为半导体制造工艺中的成膜方法，公知有如下工艺在真空气氛下使第I反应气体吸附在作为基板的半导体晶圆(以下，称作“晶圆”)等的表面上之后，将所供给的气体切换为第2反应气体，通过两气体反应而形成I层或多层的原子层、分子层，多次进行该循环，从而对上述层进行层叠，在基板上进行成膜。该工艺被称作例如ALD (Atomic LayerDeposition :原子层沉积)、MLD (Molecular Layer Deposition :分子层沉积)等。例如，在美国专利公报7, 153，542号、日本专利3144664号公报、美国专利公报6，869，641号、日本特开2007-247066号等中记载有进行这种处理的装置。 作为适于这种成膜方法的例子，例如可列举出用于栅极氧化膜的高电介质膜的成膜。列举一个例子来说，当形成硅氧化膜(SiO2膜)时，作为第I反应气体(原料气体)，例如使用双叔丁基氨基硅烷(以下，称作“BTBAS”)气体等，作为第2反应气体(氧化气体)，使用臭氧气体等。作为实施这种成膜方法的装置，研究了使用将多张基板沿旋转方向配置在真本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其通过在处理容器内使旋转台旋转，向该旋转台上的基板依次供给多种反应气体，层叠反应生成物的层来形成薄膜，其特征在于，该成膜装置包括：多个处理区域，其在上述旋转台的旋转方向上相互分开地设置；多个反应气体供给部件，其用于向上述多个处理区域分别供给种类互不相同的反应气体；分离区域，其在上述旋转方向上位于上述多个处理区域之间，用于将上述多个处理区域的气氛气体相互分离，并且设有用于供给分离气体的分离气体供给部件；多个排气口，其设在处理容器上，用于分别排出上述多个处理区域的气氛气体；以及排气路径形成构件，其针对每个处理区域独立地形成开口部和排气路径，使得所排出的各个处理区域的气氛气体彼此不会混...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：本间学，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：