喷嘴设备和化学气相沉积反应器制造技术

本实用新型专利技术描述了一种在化学气相沉积反应器中使用的喷嘴设备。该喷嘴设备具有喷嘴本体和至少一个控制单元，喷嘴本体具有入口、出口和位于它们之间的流动空间，控制单元包含控制部分和设定部分，其中，控制部分以可运动的方式布置在流动空间内，在流动空间内限定了流动横截面，流动横截面足够小以在气体流经喷嘴体时于控制部分产生压力损失，该压力损失在流动空间内朝向出口偏置控制部分。设定部分随控制部分一起运动且包含至少一个如下部分：它随设定部分的运动而改变出口的流动横截面。此外，提供至少一个偏置元件，它在流动空间内向远离出口的方向偏置控制部分。此外，描述了一种化学气相沉积反应器，它具有限定了工艺空间的工艺室。工艺室包含在其底壁上的至少一个通孔，而上述类型的喷嘴设备至少部分地被接纳在通孔内。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种喷嘴设备，用于化学气相沉积(CVD)反应器中，特别是用于硅沉积反应器中。
技术介绍
在半导体技术和光伏产业中，已知在沉积反应器中例如根据西门子法(Siemens-method)制得高纯度的娃棒，该沉积反应器又叫做化学气相沉积反应器或简称为CVD反应器(CVD-reactors)。首先，将细硅棒接纳在反应器中，在沉积过程中硅沉积于其上。细硅棒被接纳在夹紧和接触装置中，夹紧和接触装置一方面将细硅棒保持在预定朝向，另一方面提供对细硅棒电气接触。在它们各自的自由端，通常两个细硅棒通过导电桥而电气连接，从而形成电流通路。在沉积过程中，细硅棒由预定电压的电流通过电阻加热·而加热到预定温度，在沉积过程中，来自蒸汽或气相的硅沉积到细硅棒上。沉积温度介于900-1350°C，通常是在 1100 到 1200。。。通过具有固定流动直径的多个喷嘴设备，按照所需要的量提供工艺气体，喷嘴设备通常设置于沉积反应器的底部。在反应器内的沉积过程期间，硅棒的直径持续地增加，这样硅棒的表面积也增加。为了硅棒的均匀增长，因此必须随硅棒直径的增加而提供更多的工艺气体，即必须提供更大质量流量的工艺气体。在具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
在化学气相沉积反应器内使用的喷嘴设备，包括：喷嘴本体，该喷嘴本体具有入口、出口和位于入口和出口之间的流动空间；其特征在于，还包括：至少一个控制单元，该至少一个控制单元具有控制部分和设定部分，其中，控制部分以可运动的方式配置在流动空间内，且控制部分限定了流动空间内的流动横截面，流动横截面足够小，以在气体流经喷嘴体时于控制部分处产生压力损失，该压力损失在流动空间内朝向出口偏置控制部分，其中，设定部分可与控制部分一起运动且包含这样一个部分：它随设定部分的运动而改变出口的流动横截面；以及至少一个偏置元件，该偏置元件在流动空间内向远离出口的方向偏置控制部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·雷克，
申请(专利权)人：森托塞姆硅技术有限公司，
类型：实用新型
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