金属化学气相沉积设备及其反应腔室制造技术

技术编号:9662747 阅读:127 留言:0更新日期:2014-02-13 18:22
一种化学气相沉积反应腔室以及具有该反应腔室的金属化学气相沉积设备,所述化学气相沉积反应腔室包括进气系统、感应线圈、排气系统和托盘,所述感应线圈设置在反应腔室的外部,用于加热反应腔室内部的托盘,其特征在于,所述托盘具有容纳腔,所述容纳腔内设置有散热器。根据本发明专利技术的化学气相沉积反应腔室和金属化学气相沉积设备,在托盘的容纳腔内设有散热器对托盘进行散热,增强了托盘的散热效率,使托盘快速降温,提高了工作效率,而且无需向反应腔室内通入冷却气体,进而避免了反应腔室内产生颗粒而污染基片。由于散热器容纳在密闭的容纳腔内,因此散热器不会影响反应腔室内的工艺气体的纯度,能够更好的保证化学气相沉积的工艺效果。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种化学气相沉积反应腔室以及具有该反应腔室的金属化学气相沉积设备,所述化学气相沉积反应腔室包括进气系统、感应线圈、排气系统和托盘,所述感应线圈设置在反应腔室的外部,用于加热反应腔室内部的托盘,其特征在于,所述托盘具有容纳腔,所述容纳腔内设置有散热器。根据本专利技术的化学气相沉积反应腔室和金属化学气相沉积设备,在托盘的容纳腔内设有散热器对托盘进行散热,增强了托盘的散热效率,使托盘快速降温,提高了工作效率,而且无需向反应腔室内通入冷却气体,进而避免了反应腔室内产生颗粒而污染基片。由于散热器容纳在密闭的容纳腔内,因此散热器不会影响反应腔室内的工艺气体的纯度,能够更好的保证化学气相沉积的工艺效果。【专利说明】金属化学气相沉积设备及其反应腔室
本专利技术涉及一种化学气相沉积反应腔室以及具有该腔室的金属化学气相沉积设备。
技术介绍
金属有机化学气相沉积(MOCVD)是目前唯一能制备氮化物高亮度LED外延材料并用于规模生产的生长技术。该技术生长速率适中,可以比较精确地控制膜厚,特别适合于LED (发光二极管,Light Emitting Diode)的大规模工业化生产。MOCVD的原理是有机金属气体与其他工艺气体进入反应室后,在被加热到高温的衬底片表面发生高温化学反应,生成的产物沉积在衬底表面,得到各种结构的多层LED外延片。MOCVD设备通常采用感应加热,在工艺过程中,生长不同的膜层,衬底所需的加热温度有所不同,特别是在生长多量子阱工艺中需要周期性的升降温,为此,传统上采用氮气直接对托盘表面进行降温。但是,氮气通过腔室时容易产生颗粒,污染衬底表面,严重影响工艺结果,且要达到降温的目的,需要耗费大量氮气,增加了成本。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此,本专利技术的一个目的在于提出一种散热效果好且可提高化学气相沉积的工艺效果的化学气相沉积反应腔室。本专利技术的第二个目的在于提出具有上述反应腔室的金属化学气相沉积设备。根据本专利技术实施例的化学气相沉积反应腔室,包括进气系统、感应线圈、排气系统和托盘,所述感应线圈设置在反应腔室的外`部,用于加热反应腔室内部的托盘,所述托盘具有容纳腔,所述容纳腔内设置有散热器。根据本专利技术实施例的化学气相沉积反应腔室,在托盘的容纳腔内设有散热器对托盘进行散热。由此,增强了托盘的散热效率,使托盘快速降温,提高了化学气相沉积反应腔室的工作效率,而且无需向反应腔室内通入冷却气体,进而避免了反应腔室内产生颗粒而污染基片。由于散热器容纳在密闭的容纳腔内,因此散热器不会影响反应腔室内的工艺气体的纯度,因此能够更好的保证化学气相沉积的工艺效果。根据本专利技术的一个实施例,所述进气系统由工艺气体进气系统和冷却气体进气系统构成,所述排气系统由工艺气体排气系统和冷却气体排气通道构成,所述冷却气体进气系统与所述容纳腔相连,用于向所述容纳腔内输送冷却气体,所述冷却气体通过与容纳腔相连的冷却气体排气通道排出容纳腔。根据本专利技术的一个实施例,所述托盘包括第一托盘和第二托盘,所述第一托盘的下表面上设有第一凹槽且所述第二托盘的上表面设有第二凹槽,所述第一托盘安装在所述第二托盘上且所述第一凹槽和第二凹槽相对以形成所述容纳腔。根据本专利技术的一个实施例,所述散热器包括圆柱状本体和安装在所述圆柱状本体内的散热片。根据本专利技术的一个实施例,所述散热片沿径向方向具有翅片。根据本专利技术的一个实施例,所述散热片为多个,所述散热片分别沿所述托盘的的径向延伸且沿所述托盘的周向间隔设置。根据本专利技术的一个实施例,每个所述散热片上设有多个翅片,所述多个翅片沿所述托盘的径向间隔设置且所述多个翅片的尺寸沿所述托盘的径向从外向内逐渐减小。根据本专利技术的一个实施例,所述冷却气体为压缩空气。根据本专利技术的一个实施例,所述托盘为多个且所述多个托盘沿上下方向间隔设置成多层。根据本专利技术实施例的金属化学气相沉积设备包括根据本专利技术前述实施例所述的化学气相沉积反应腔室。根据本专利技术实施例的金属化学气相沉积设备,托盘的散热效率高,托盘快速降温,提高了工作效率,而且无需通入冷却气体,例如氮气,避免了产生颗粒而污染基片。由于散热器容纳在密闭的容纳腔内,因此散热器不会影响反应腔室内的工艺气体的纯度,因此能够更好的保证化学气相沉积的工艺效果。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本专利技术的实践了解到。【专利附图】【附图说明】本专利技术的上述和/·或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:图1是根据本专利技术的一个实施例的化学气相沉积反应腔室的示意图;图2是根据本专利技术的另一实施例的化学气相沉积反应腔室的示意图;图3是根据本专利技术再一个实施例的化学气相沉积反应腔室的散热器和托盘的示意图;图4是根据本专利技术的一个实施例图的化学气相沉积反应腔室的散热器的示意图;和图5是沿图3中的线A-A的剖面示意图。【具体实施方式】下面详细描述本专利技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本专利技术,而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。在本专利技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下面参照附图详细描述根据本专利技术实施例的化学气相沉积反应腔室。如图1所示,根据本专利技术实施例的化学气相沉积反应腔室,包括进气系统、感应线圈10、排气系统和托盘20。其中,感应线圈10环绕地设置在反应腔室的外部,用于加热反本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种化学气相沉积反应腔室,包括进气系统、感应线圈、排气系统和托盘,所述感应线圈设置在反应腔室的外部,用于加热反应腔室内部的托盘,其特征在于,所述托盘具有容纳腔,所述容纳腔内设置有散热器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:何丽
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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