【技术实现步骤摘要】
本技术一种用于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备的气体分配器结构,特别涉及一种运用阿基米德螺线分布孔位置的气体分配器。
技术介绍
金属有机物化学气相沉积(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)设备,用于化合物半导体氮化镓、砷化镓、磷化铟、氧化锌等功能结构材料的制备,尤其适合规模化工业生产,因此成为目前化合物半导体外延材料研究和生产的关键设备,是当前生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段,应用领域广泛。MOCVD生长是一种非平衡生长技术,通过这种技术外延的材料的质量取决于反应气体通过MOCVD进气喷头后的气流输运状态和在衬底表面温场内的后续反应。如何实现有 机金属源气体以及氧化物等气态反应物在反应室中形成合适的气流模式,MOCVD进气喷头的优化设计至关重要,因此进气喷头的设计室MOCVD设备的核心技术之一,也是需要不断创新和探索改进的技术问题。目前常规的MOCVD设备气体分配器存在一定的不足和缺点,比如通过常规结构的气体分配器进入反应室的气体,尤其是有机源气体在衬底径向上分配不均匀,容易造成外延材料均 ...
【技术保护点】
一种运用阿基米德螺线分布孔位置的气体分配器,包括:进气顶盘法兰(1)和阿基米德螺线水冷匀气孔(2);其特征在于:所述进气顶盘法兰(1)为金属圆盘结构,所述金属圆盘中间具有圆形凹坑,沿凹坑径向设有板条,所述板条将进气顶盘法兰(1)分为2n个扇形区;?所述的n为大于1的整数。
【技术特征摘要】
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