【技术实现步骤摘要】
本技术涉及喷淋头，具体来说，本技术涉及一种MOCVD设备反应器的喷淋头。
技术介绍
金属有机化学气相沉积设备(简称M0CVD)是以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III -V族、II -VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料的工艺设备。喷淋头作为MOCVD设备最核心的部件，对整机的设计与制造具有决定性的作用。图I示出了现有MOCVD反应器中使用的常规喷淋头结构，包括底层101、中间层 106以及顶盖107。其中间层103设置V族气体通道106，底层101和中间层106焊接。图2图示了现有喷淋头底层101的结构，从图I和图2中我们可以看出其结构有以下几个缺陷一、底层101在焊接中变形较大，因底层101为一薄板形式的零件，其强度不好，并在焊接的过程中易造成较大的变形。而在实际生产中，喷淋头的底层101的底面102的平整度对外延片生长的好坏有决定性的影响。二、为焊接底层101与中间层103，必然会产生一条环形焊缝104，该焊缝处于冷却水环形通道105下方；在长时间...
【技术保护点】
MOCVD设备反应器的喷淋头，包括喷淋组件、顶盖组件，顶盖组件包括顶盖，喷淋组件包括连接在一起的底层、中间层和顶层，底层和中间层之间形成冷却水通道、冷却水腔，中间层和顶层之间形成V族气体腔体，顶层和顶盖之间形成III族气体腔体，其特征在于，底层为内凹形一体件，具有底壁和自底壁凸出的圈围侧壁，中间层的外侧面和底层的圈围侧壁的内侧面焊接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁云鑫，徐小明，周永君，邬建伟，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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