一种加氢反应器积垢器制造技术

本发明专利技术公开了一种加氢反应器积垢器，属于石油化工设备领域。本发明专利技术的一种加氢反应器积垢器，包括方形框架，所述方形框架内沿竖直方向均布有若干磁吸附区，所述方形框架中部沿水平横向设有循环区。本发明专利技术的一种加氢反应器积垢器具有解决积垢问题，减小积垢器催化剂床层的垢物，和催化剂板结现象，降低反应器压力降的升高，延长装置的运行周期，提高反应器利用率的特点。

A hydrogenation reactor fouling device

The invention discloses a hydrogenation reactor fouling device, which belongs to the field of petrochemical equipment. The invention relates to a hydrogenation reactor fouling device, which comprises a square frame, the square frame along the vertical direction is distributed with a plurality of magnetic adsorption zone, the central square frame is horizontally arranged along the horizontal circulation zone. The invention relates to a hydrogenation reactor fouling has to solve fouling problems, reduce fouling fouling of the catalyst bed reactor, catalyst and the hardening phenomenon, decrease the pressure drop of the reactor, prolong the operation cycle of device, improve the utilization rate of reactor.

【技术实现步骤摘要】
一种加氢反应器积垢器
本专利技术涉及一种积垢器，特别是一种加氢反应器积垢器。
技术介绍
在炼油工业中，采用高温高压加氢精制技术已有近半个世纪的历史。随着加氢裂化和加氢脱硫等工艺的改进，轻质油品需求量的增加，以及重油原料裂解精制，防止大气污染等需要，加氢精制装置和加氢裂化装置的核心设备-加氢反应器其结构和部件不断的在进行完善。对于气液并流的下流式加氢固定床反应器，其内构件通常包括入口扩散器、气液分配器、积垢器、冷氢箱、热电偶和出口收集器等。随着原料油劣质化日趋严重、加工工艺流程越来越长、连续化程度越来越高，原料油中含酸引起设备及工艺管线腐蚀所产生的锈垢、上游工艺失稳夹带而来的助剂、储运过程中的溶氧等，进入加氢反应器后均会产生垢物、覆盖催化剂床层表面，使反应器的压力降逐渐升高，严重时影响装置的正常生产。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的在于：针对上述存在的问题，提供一种解决积垢问题，减小积垢器催化剂床层的垢物，和催化剂板结现象，降低反应器压力降的升高，延长装置的运行周期，提高反应器利用率的加氢反应器积垢器。本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术的一种加氢反应器积垢器，包括方形框架，所述方形框架内沿竖直方向均布有若干磁吸附区，所述方形框架中部沿水平横向设有循环区。由于采用了上述技术方案，通过磁吸附区，能够将大部分的垢物通过吸附作用，使其停留在吸附区，从而减小催化剂床层的垢物，而在使用过程中，通过清洗/更换吸附区即可保持积垢器长期使用，从而避免催化剂板结，而导致反应器压力降的升高。本专利技术的一种加氢反应器积垢器，所述方形框架内沿竖直方向设有若干骨架，所述骨架将方向框架分隔成为若干条形区域，每一个所述条形区域内上下对称设有磁吸附区。由于采用了上述技术方案，当原料从入口进入后，原料中的铁、钙等较大颗粒的杂质通过磁吸附作用被吸附在吸附区内，将不会导致大量的大颗粒积进入反应器，将磁吸附区取出更换/清洗即可将一次积垢区进行清洗，而避免催化剂板结等现象出现。本专利技术的一种加氢反应器积垢器，所述磁吸附区包括静电发生器，所述静电发生器下方设有磁感区，所述磁感区内均布若干磁点，所述磁点由Fe3O4制成。由于采用了上述技术方案，具有良好的吸附作用，单个磁吸附区能够吸附掉75.2%的杂质，从而减小积垢器催化剂床层的垢物，和催化剂板结现象，降低反应器压力降的升高，延长装置的运行周期，提高反应器利用率。而本专利技术中的结构，具有多个磁吸附区，一次原料加入能够吸附掉92.0%的杂质。本专利技术的一种加氢反应器积垢器，所述循环区的截面大小等于方形框架内截面，所述循环区内均布有若干半导体块，所述半导体块之间通过过流通道连接，所述循环区内两端设有固定件，所述固定件将半导体块与方形框架内壁固定连接，所述固定件具有中空腔体，所述腔体内设有脉冲点火器。由于采用了上述技术方案，通过脉冲点火器在半导体块两端产生短暂的电压变化，由于帕尔帖效应，半导体发热，从而将分配器周围的空气加热，产生一小股热空气上升，驱动含杂质气相在积垢器内多次往复循环，形成再吸附，从而保证纯化效果。本专利技术的一种加氢反应器积垢器，所述半导体块上下表面均布有若干分配器。由于采用了上述技术方案，分配器与现有的作用相同，使得积垢器内的流体力学复合沉积要求，使得降压发生在气相进入积垢器的中心位置处，改善反应进料的分布均匀性。本专利技术的一种加氢反应器积垢器，所述磁感区下方设有催化腔，所述催化腔的两侧壁上开有若干通孔，所述催化腔内填充有催化剂。本的一种加氢反应器积垢器，所述条形区域与磁吸附区之间的孔隙处填充有催化剂。由于采用了上述技术方案，在缝隙处填充催化剂，能够进一步保证纯化效果，避免杂质进入反应器中。本专利技术的一种加氢反应器积垢器，所述催化剂由质量份50份液体石蜡，20份水，15份二甲基亚砜，32份十二烷基磺酸钠，17份十六烷基三甲基溴化氨，9份聚乙烯吡咯烷酮和20氢氧化钠制成。由于采用了上述技术方案，除垢效果良好，经过吸附积垢后，能够去除99.1%的杂质，较现有技术中的催化剂催化效率高，更加适应原料油劣质化日趋严重的现状。本专利技术的一种加氢反应器积垢器，所述半导体块由质量比1：3的单晶锗和二氧化硅制成由于采用了上述技术方案，能够促使原料在循环区周围随气流变化而进行循环吸附。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：1、解决积垢问题，减小积垢器催化剂床层的垢物，和催化剂板结现象，降低反应器压力降的升高，延长装置的运行周期，提高反应器利用率。2、除垢效果良好，经过吸附积垢后，能够去除99.1%的杂质，较现有技术中的催化剂催化效率高，更加适应原料油劣质化日趋严重的现状。附图说明图1是一种加氢反应器积垢器结构示意图。图中标记：1为方形框架，2为磁吸附区，3为循环区，4为分配器，5为半导体。具体实施方式下面结合附图，对本专利技术作详细的说明。为了使专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图1所示，一种加氢反应器积垢器，包括方形框架1，方形框架1内沿竖直方向均布有若干磁吸附区2，方形框架1中部沿水平横向设有循环区3。方形框架1内沿竖直方向设有若干骨架，骨架将方向框架1分隔成为若干条形区域，每一个所述条形区域内上下对称设有磁吸附区。磁吸附区2包括静电发生器6，静电发生器6下方设有磁感区7，磁感区7内均布若干磁点，磁点由Fe3O4制成。循环区3的截面大小等于方形框架1内截面，循环区3内均布有若干半导体块5，半导体块5之间通过过流通道连接，循环区3内两端设有固定件，固定件将半导体块5与方形框架1内壁固定连接，固定件具有中空腔体，腔体内设有脉冲点火器。半导体块5上下表面均布有若干分配器4。磁感区7下方设有催化腔，催化腔的两侧壁上开有若干通孔，催化腔内填充有催化剂。条形区域与磁吸附区2之间的孔隙处填充有催化剂。催化剂由质量份50份液体石蜡，20份水，15份二甲基亚砜，32份十二烷基磺酸钠，17份十六烷基三甲基溴化氨，9份聚乙烯吡咯烷酮和20氢氧化钠制成。半导体块5由质量比1：3的单晶锗和二氧化硅制成。经过实验，按照10L/min的通入量，经过积垢器能够去除99.1%的杂质。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加氢反应器积垢器，其特征在于：包括方形框架（1），所述方形框架（1）内沿竖直方向均布有若干磁吸附区（2），所述方形框架（1）中部沿水平横向设有循环区（3）。

【技术特征摘要】
1.一种加氢反应器积垢器，其特征在于：包括方形框架（1），所述方形框架（1）内沿竖直方向均布有若干磁吸附区（2），所述方形框架（1）中部沿水平横向设有循环区（3）。2.如权利要求1所述的一种加氢反应器积垢器，其特征在于：所述方形框架（1）内沿竖直方向设有若干骨架，所述骨架将方向框架（1）分隔成为若干条形区域，每一个所述条形区域内上下对称设有磁吸附区。3.如权利要求2所述的一种加氢反应器积垢器，其特征在于：所述磁吸附区（2）包括静电发生器（6），所述静电发生器（6）下方设有磁感区（7），所述磁感区（7）内均布若干磁点，所述磁点由Fe3O4制成。4.如权利要求2或3所述的一种加氢反应器积垢器，其特征在于：所述循环区（3）的截面大小等于方形框架（1）内截面，所述循环区（3）内均布有若干半导体块（5），所述半导体块（5）之间通过过流通道连接，所述循环区（3）内两端设有固定件，所述固...

【专利技术属性】
技术研发人员：张进，
申请(专利权)人：彭州市运达知识产权服务有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51