腔室装置及具有该腔室装置的等离子体处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术提出了腔室装置及具有该腔室装置的等离子体处理设备。腔室装置包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室；第一和第二射频电极板，所述第一和第二射频电极板分别设在所述腔室本体的第一和第二侧且暴露到所述腔室内，所述第一和第二射频电极板分别与所述腔室本体绝缘；和载板，所述载板设在所述腔室内且接地以用作接地电极板，所述载板具有分别与所述第一和第二射频电极板相对且用于承载晶片的第一和第二侧面。根据本发明专利技术的腔室装置，可以显著地减少乃至彻底避免工艺过程中产生的颗粒、以及长时间运行后第一和第二射频电极板剥落的颗粒落于晶片表面，从而可以显著改善处理后的晶片的质量。此外，整个腔室装置结构紧凑、产能高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及腔室装置及具有该腔室装置的等离子体处理设备。
技术介绍
随着等离子体(Plasma)技术的不断发展，等离子体装置已经被广泛地应用于制造集成电路(IC)或光伏(PV)产品的制造工艺中。光伏产品制造过程中用到的平板式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备根据成膜方式的不同主要分为直接法和间接法两种，这两种设备都是通过平板式载板载置硅片。其中，间接法的载板不接地，只起到传输作用，电极板接高频或者微波，离子放电 空间中就结合成减反膜并由扩散作用沉积在硅片表面上。间接法多为下镀膜方式，镀膜时硅片放在腔室顶部，等离子体源在下面，成膜面朝下，这种设备虽然产能相对较高，但由于只能实现表面钝化，所以限制了短路电流的进一步提升。直接法的载板位于上下电极之间，或直接接地作为下极板，上电极接中频或者射频，在上电极和载板之间形成等离子体。虽然直接法相对于间接法而言其短路电流较高从而成膜相对更致密，但直接法为了载板接地，都是采用向上镀膜的方式，成膜表面朝上，在工艺过程中产生的颗粒、以及长时间运行后上电极剥落的颗粒会掉落到成膜表面上，影响电池片的外观和质量。图4为目前晶硅太阳能电池生产中常用的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种腔室装置，其特征在于，包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室；第一和第二射频电极板，所述第一和第二射频电极板分别设在所述腔室本体的横向上的第一和第二侧且暴露到所述腔室内，所述第一和第二射频电极板分别与所述腔室本体绝缘；和载板，所述载板设在所述腔室内以用作接地电极板，所述载板具有分别与所述第一和第二射频电极板相对设置且用于承载晶片的第一和第二侧面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张风港，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：