一种加热掺杂气体的喷淋结构制造技术

一种加热掺杂气体的喷淋结构，主要解决现有的喷淋结构无法保证掺杂反应在腔体内部的基底沉积硬质膜的问题，本发明专利技术提供一种加热掺杂气体的喷淋结构，包括喷淋板本体，该喷淋结构还包括气体A入口，配气环，掺杂气体B入口及加热环。本发明专利技术的喷淋结构采用配气环及加热环结构，保证了掺杂气体的独立路径，对掺杂气体进行加热，实现了掺杂气体同时、独立、加热在基底沉积硬质膜。

Spray structure for heating doped gas

The spray structure for heating the doping gas, which mainly solves the existing spray structure can not guarantee the doping reaction in the cavity inside the deposition of hard coatings, the present invention provides a doping gas heating spray structure, including spray plate body, the spray structure also includes a gas distributing ring, A entrance, entrance B doping gas and the heating ring. The spray structure of the invention adopts the distributing ring and the heating ring structure, ensure the independent path of the doping gas, heating of the doping gas, the doping gas at the same time, independent and heated in a hard film deposition.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种加热掺杂气体的喷淋结构，属于半导体薄膜沉积应用及制造

技术介绍
半导体镀膜设备在进行硬质膜沉积反应时，需要少量掺杂一种气体或多种气体同时进入腔室进行薄膜沉积，要求几种气体路径相互独立，在进入腔体前不能相遇，进入腔室后都能均匀扩散到基底表面。且掺杂的气体在进入反应腔体前，需要保持加热到一定的温度。而现有的喷淋结构大都是针对单独的气体设计的路径，并且大多结构都只是在气体进口处进行分离，在进入腔室之前的气体已进行接触，使沉积反应提前进行。且现有喷淋结构没有针对掺杂气体进行加热的功能。这样一来，无法保证掺杂反应在腔体内部的基底沉积硬质膜。当需要进行掺杂气体沉积时，之前的喷淋结构已不能满足要求。针对要求掺杂气体同时、独立、加热的苛刻要求，需要一种可加热掺杂气体的喷淋结构。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的，提供了一种加热掺杂气体的喷淋结构，该喷淋结构通过采用配气环及加热环结构，来实现掺杂气体独立、均匀的到达基底表面参加沉积反应。为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案：一种加热掺杂气体的喷淋结构，包括喷淋板本体，该喷淋结构还包括气体A入口，配气环，掺杂气体B入口及加热环；所述喷淋板本体上设有气体A入口向喷淋板本体中通入气体A，所述配气环上设有掺杂气体B入口向配气环中通入掺杂气体B，所述加热环安装于所述配气环外围后与配气环一同置于喷淋板主体上的凹槽内。进一步地，所述喷淋板本体与配气环的内部为气体环形通道。进一步地，所述加热环对所述配气环中通入的掺杂气体B进行加热。本专利技术的有益效果及特点在于：本专利技术的喷淋结构采用配气环及加热环结构，保证了掺杂气体的独立路径，对掺杂气体进行加热，实现了掺杂气体同时、独立、加热在基底沉积硬质膜。附图说明图1为本专利技术的加热掺杂气体的喷淋结构的立体图；图2为本专利技术的结构示意图。具体实施方式下面结合实施例进一步对本专利技术进行详细说明，但专利技术保护内容不局限于所述实施例：参照图1-2，一种加热掺杂气体的喷淋结构，包括喷淋板本体1，该喷淋结构还包括气体A入口2，配气环3，掺杂气体B入口4及加热环5；所述喷淋板本体1上设有气体A入口2向喷淋板本体1中通入气体A，所述配气环3上设有掺杂气体B入口4向配气环3中通入掺杂气体B，所述加热环5安装于所述配气环3外围后与配气环3一同置于喷淋板主体1上的凹槽内。所述喷淋板本体1与配气环3的内部为气体环形通道。所述加热环5对所述配气环3中通入的掺杂气体B进行加热。气体A和掺杂气体B分别从气体A入口2与掺杂气体B入口4通入，通过各自独立的通道，到达各自分区，气体A和掺杂气体B在分区扩散后从各自分区中的孔中进入反应腔室。彼此独立的结构使不同气体不会提前相遇或反应，在配气环3外围安装加热环5，通过加热环5对掺杂气体B进行加热，保证了掺杂反应在腔体内部的基底沉积硬质膜。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加热掺杂气体的喷淋结构，包括喷淋板本体，其特征在于，该喷淋结构还包括气体A入口，配气环，掺杂气体B入口及加热环；所述喷淋板本体上设有气体A入口向喷淋板本体中通入气体A，所述配气环上设有掺杂气体B入口向配气环中通入掺杂气体B，所述加热环安装于所述配气环外围后与配气一同置于喷淋板主体上的凹槽内。

【技术特征摘要】
1.一种加热掺杂气体的喷淋结构，包括喷淋板本体，其特征在于，该喷淋结构还包括气体A入口，配气环，掺杂气体B入口及加热环；所述喷淋板本体上设有气体A入口向喷淋板本体中通入气体A，所述配气环上设有掺杂气体B入口向配气环中通入掺杂气体B，所述加热环安装于所述配气环...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燚，刘忆军，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21