【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于等离子体处理装置的气体喷淋头。
技术介绍
半导体工艺件的边缘效应是困扰半导体产业的一个问题。所谓半导体工艺件的边缘效应是指在等离子体处理过程中，由于等离子体受电场控制，而上下两极边缘处的场强会受边缘条件的影响，总有一部分电场线弯曲，而导致电场边缘部分场强不均，进而导致该部分的等离子体浓度不均匀。在该种情况下，生产出的半导体工艺件周围也存在一圈处理不均匀的区域。这一不均匀现象在射频电场频率越高时越明显，在射频频率大于60MHZ甚至大于IOOMhz时这一等离子浓度的不均匀性程度已经很难再用其它装置如位于静电夹盘边缘的聚集环来调控。由于半导体工艺件是圆形的，因此愈外圈面积愈大，边缘部分的各个工艺环节的均一性不佳将导致成品率显著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半导体工艺件边缘效应带来的损失更为巨大。因此，业内需要能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的上述问题，本专利技术提出了能够改善均一性的用于等离子体处理装置的气体喷淋头。本专利技术第一方面提供了一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头...
【技术保护点】
一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头，其中，所述气体喷淋头至少包括：支撑板，其具有从其顶面至底面之间延伸的第一气体通道；上电极，所述上电极位于所述支撑板下表面，所述上电极包括：一圆形板，其中设置有一个或多个真空空洞，该圆形板于其底面上具有一曝露于等离子体的气体分布板，所述上电极具有从其顶面至底面之间延伸并与所述第一气体通道相配合的第二气体通道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陶铮，松尾裕史，曹雪操，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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