晶圆承载盘制造技术

技术编号:11318498 阅读:135 留言:0更新日期:2015-04-18 01:41
一种晶圆承载盘,为陶瓷材质一体制成,其包括一穿孔、一结合面及一承载面,该穿孔位于中央且由顶面贯穿到底面以使整体呈环状,该穿孔可供容纳一机台的静电吸盘,该结合面位于底面可供用于结合于该机台上,该承载面位于顶面,且靠近该穿孔边缘处等间隔设置有多数承载凸块,每一承载凸块具有一支撑面及两侧面,该支撑面位于顶面且呈由外向内逐渐向下倾斜的斜面状,以供用于支撑承载晶圆的周边下缘,该两侧面位于两相对侧且呈由外向内逐渐相对倾斜接近的斜面状,该两侧面的上侧边与该支撑面的两相对侧边相接;藉由上述结构使其不会发生加工杂质堆积而影响精密度的情形,而且亦具有组装简单方便、成本低及降低不良率的功效。

【技术实现步骤摘要】
晶圆承载盘
本技术系关于一种应用于晶圆加工机上的晶圆承载盘方面的
,尤指一种不会发生加工杂质堆积而影响精密度,以及具有组装简单方便、成本低及降低不良率等功效的晶圆承载盘者。
技术介绍
请参阅图1 一图3所示,指出一般已知的晶圆承载盘I包含陶瓷材质制成的一盘座10及一盘盖11。该盘座10中央形成一穿孔12可供容纳一机台2的静电吸盘20,该盘座10的底面结合在该机台2上,该盘座10的顶面呈阶级状,而且于靠近穿孔12处等间隔设有四承载凸块13。该承载凸块13具有一支撑面14及两侧面15,该支撑面14位于顶面且由外向内逐渐低斜呈矩形状及该两侧面15位于两相对侧,且呈三角形,其的上侧边与该支撑面14的两侧边连接。该盘盖11呈环状,且供结合于该盘座10顶面的阶级上。 然而,由于该已知的晶圆承载盘I由一盘座10及一盘盖11结合而成,因此当其承载晶圆3进行加工(如气相沉积等)时,加工所产生的杂质日积月累下易堆积在该盘座10与该盘盖11的交接处及接触面之间,而使其易因此产生变形、破裂的情形,进而影响其水平度与真圆度,因此会使加工精密度大幅降低。而且,加工所产生的杂质亦会使该盘座10与该盘盖11沾黏在一起而不易分离,而如此更是会造成拆装困难不便的问题。另外,分别制作出该盘座10及该盘盖11,再将其结合组成晶圆承载盘1,不但组装不方便,而且制作上亦具有较高的成本。尤其是,该多数承载凸块13用以承载支撑晶圆3的倾斜状支撑面14呈矩形,因此会使该多数承载凸块13与该晶圆3的接触区域(Wl)较大,而使得晶圆3于其上承载及移载时易发生磨擦受损的机会,进而使不良率大幅增加。
技术实现思路
已知的晶圆承载盘存在组装麻烦不便、成本闻及不良率闻等问题,尤其是其在使用时更是存在着盘座与盘盖之间易堆积加工杂质而影响加工精密度的问题,本技术提供一种具有较高加工精密度,而且可使组装较简单方便及降低制作成本功效的晶圆承载盘。 本技术提供的晶圆承载盘,为高纯度的绝缘材质(如陶瓷)一体制成,其包括一穿孔、一结合面及一承载面。其中,该穿孔位于中央且由顶面贯穿到底面以使整体呈环状,该穿孔可供容纳一机台的静电吸盘。该结合面位于底面,可供用于结合于该机台上。该承载面位于顶面,且靠近该穿孔边缘处等间隔设有多数承载凸块。每一承载凸块具有一支撑面及两侧面,该支撑面位于顶面且呈由外向内逐渐向下倾斜的斜面状,以供用于支撑承载晶圆的周边下缘,该两侧面位于两相对侧且呈由外向内逐渐相对倾斜接近的斜面状,该两侧面的上侧边与该支撑面的两相对侧边相接。 该晶圆承载盘呈圆环形。 该结合面更具有环状的一凹槽供该机台的陶瓷绝缘体嵌设。 该多数承载凸块为尖锥部朝向该穿孔的四角锥状。 该多数承载凸块的尖锥部距该穿孔的孔缘一距离。 该承载面呈由内向外逐渐低斜的斜面状。 该承载凸块的数量为四个。 该晶圆承载盘为陶瓷材质制成。 本技术所提供的晶圆承载盘,由于为高纯度的绝缘材质(如陶瓷)一体制成,因此当其承载晶圆在进行加工(如气相沉积等)时,不会有杂质堆积进而变形、破裂而影响水平度、真圆度以及沾黏而不易拆装的情形,因此可具有较高的加工精密度,而且亦具有可使组装较简单方便及降低制作成本的功效。尤其是,该多数承载凸块用以承载支撑晶圆的倾斜状的支撑面呈由外向内渐缩状,因此便可使该多数承载凸块与该晶圆的接触区域进一步的降低,而可减少晶圆于其上承载及移载时磨擦受损的机会,进而可降低不良率。 【附图说明】 图1为已知晶圆承载盘的立体分解不意图。 图2为已知晶圆承载盘的组合剖面放大示意图。 图3为已知晶圆承载盘使用状态的局部立体放大示意图。 图4为本技术的立体外观示意图。 图5为本技术的组合剖面放大示意图。 图6为本技术使用状态的局部立体放大示意图。 【具体实施方式】 请参阅图4 一图6所示,显示本技术所述的晶圆承载盘4为高纯度的绝缘材质(如陶瓷等)一体制成。其具有一穿孔40、一结合面41及一承载面42。其中: 该穿孔40位于中央,且由顶面贯穿到底面以使整体呈圆环状。该穿孔40内部可供容纳一机台5的静电吸盘50。 该结合面41位于底面,且可供用于结合于该机台5上。该结合面41上具有环状的一凹槽43可供该机台5的陶瓷绝缘体51嵌设。 该承载面42位于顶面,且呈由内向外逐渐低斜的斜面状,该承载面42上靠近该穿孔40的边缘处等间隔设置有四承载凸块44。每一承载凸块44具有一支撑面45及两侧面46。该支撑面45位于顶面且呈由外向内逐渐向下倾斜的斜面状,以供用于支撑承载晶圆6的周边下缘。该两侧面46位于两相对侧且呈由外向内逐渐相对倾斜接近的斜面状,该两侧面46的上侧边并与该支撑面45的两相对侧边相接,使该承载凸块44的整体概呈尖锥部朝向该穿孔40的四角锥状,而该支撑面45及该两侧面46则呈由外向内渐缩的三角形,另外并使该承载凸块44的尖锥部距该穿孔40的孔缘一距离。 本技术所提供的晶圆承载盘4,由于为高纯度的绝缘材质(如陶瓷)一体制成,因此当其承载晶圆6在进行加工(如气相沉积等)时,不会有杂质堆积进而变形、破裂而影响水平度、真圆度以及沾黏而不易拆装的情形,因此具有较高的加工精密度,而且亦可使组装较简单方便以及可大幅降低制作成本。尤其是,该多数承载凸块44用以承载支撑晶圆6的倾斜状的支撑面45呈由外向内渐缩的三角形状,因此可使该多数承载凸块44与该晶圆6的接触区域(W2)进一步的减少,而可降低晶圆6于其上承载及移载时产生磨擦受损的机会,因此可大幅降低不良率的产生。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种晶圆承载盘,其特征在于包括: 一穿孔,位于中央且由顶面贯穿到底面以使整体呈环状,该穿孔供容纳一机台的静电吸盘;一结合面,位于底面,供结合于该机台上;以及一承载面,位于顶面,且靠近该穿孔边缘处等间隔设置有多数承载凸块,每一承载凸块具有一支撑面及两侧 面,该支撑面位于顶面且呈由外向内逐渐向下倾斜的斜面状,以供用于支撑承载晶圆的周边下缘,该两侧面位于两相对侧且呈由外向内逐渐相对倾斜接近的斜面状,该两侧面的上侧边与该支撑面的两相对侧边相接。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载盘,其特征在于包括:一穿孔,位于中央且由顶面贯穿到底面以使整体呈环状,该穿孔供容纳一机台的静电吸盘; 一结合面,位于底面,供结合于该机台上;以及 一承载面,位于顶面,且靠近该穿孔边缘处等间隔设置有多数承载凸块,每一承载凸块具有一支撑面及两侧面,该支撑面位于顶面且呈由外向内逐渐向下倾斜的斜面状,以供用于支撑承载晶圆的周边下缘,该两侧面位于两相对侧且呈由外向内逐渐相对倾斜接近的斜面状,该两侧面的上侧边与该支撑面的两相对侧边相接。2.如权利要求1所述的晶圆承载盘,其特征在于,该晶圆承载盘呈圆...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄见骆
申请(专利权)人:天虹科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:中国台湾;71

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