【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在基片上形成AZO膜的装置。
技术介绍
现有的AZO膜成型装置,一般采用化学气相沉积法形成AZO膜层(即掺杂氧化锌膜层),但其形成的AZO膜层,不均匀。故有必要提供一种新的利用等离子体增强化学气相沉积法在基片上形成AZO膜层的装置。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种在基片上形成AZO膜的装置,其可在基片上形成厚薄 均匀的AZO膜层。一种在基片上形成AZO膜的装置,其特征在于包括一真空反应系统,包括一真空反应腔;一放电系统,设于真空反应腔内,包括两平行设置的电极板,用以产生等离子体;—电源系统,与所述电极板连接并为电极板供电;一加热温控系统,包括设于真空反应腔内的一电极板上的反应源加热台以及衬底加热台,反应源加热台用以对设于其上的反应源物质进行加热使反应源物质升华成气态,衬底加热台用以对设于其上的基片进行加热;一气体导入系统,与真空反应腔连接并向真空反应腔内导入载气,该载气用以将升华成气态的反应源物质导至设于衬底加热台上的基片表面;一压力测量系统,用以测量真空反应腔内的气体压力变化;以及一抽气系统,与真空反应腔连接并抽吸反应尾气。本专利技术可通过如下方式进行改进上述所述气体导入系统的出气口伸入真空反应腔内并与所述基片垂直。上述所述出气口为锥形莲蓬头出气口。上述所述抽气系统包括与真空反应腔依次气路连接的过滤器、电磁阀、真空泵以及尾气吸收处理器。上述所述气体导入系统包括分别与真空反应腔连接的氩气瓶和氮气瓶,氩气瓶和氮气瓶与真空反应腔的连接气路上分别连接有减压阀和流量计。上述所述压力测量系统包括用以测量真空压力上限值的电离真空计管和用以测 ...
【技术保护点】
一种在基片上形成AZO膜的装置,其特征在于:包括一真空反应系统,包括一真空反应腔;一放电系统,设于真空反应腔内,包括两平行设置的电极板,用以产生等离子体;一电源系统,与所述电极板连接并为电极板供电;一加热温控系统,包括设于真空反应腔内的一电极板上的反应源加热台以及衬底加热台,反应源加热台用以对设于其上的反应源物质进行加热使反应源物质升华成气态,衬底加热台用以对设于其上的基片进行加热;一气体导入系统,与真空反应腔连接并向真空反应腔内导入载气,该载气用以将升华成气态的反应源物质导至设于衬底加热台上的基片表面;一压力测量系统,用以测量真空反应腔内的气体压力变化;以及一抽气系统,与真空反应腔连接并抽吸反应尾气。
【技术特征摘要】
1.一种在基片上形成AZO膜的装置,其特征在于包括 一真空反应系统,包括一真空反应腔; 一放电系统,设于真空反应腔内,包括两平行设置的电极板,用以产生等离子体; 一电源系统,与所述电极板连接并为电极板供电; 一加热温控系统,包括设于真空反应腔内的一电极板上的反应源加热台以及衬底加热台,反应源加热台用以对设于其上的反应源物质进行加热使反应源物质升华成气态,衬底加热台用以对设于其上的基片进行加热; 一气体导入系统,与真空反应腔连接并向真空反应腔内导入载气,该载气用以将升华成气态的反应源物质导至设于衬底加热台上的基片表面; 一压力测量系统,用以测量真空反应腔内的气体压力变化;以及 一抽气系统,与真空反应腔连接并抽吸反应尾气。2.根据权利要求1所述的一种在基片上形成AZO膜的装置,其特征在于所述气体导入系统的出气口伸入真空反应腔内并与所述基片垂直。3.根据权利要求2所述的一种在基片上形成AZO膜的装置,其特征在于所述出气口为锥形莲蓬头出气口。4.根据权利要求1至3任一项所述的一种在基片上形成AZO膜的装置,其特征在于所述抽气系统包括与真空反应腔依次气路连接...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨柳,刘昕,曹林站,
申请(专利权)人:中山市创科科研技术服务有限公司,
类型:发明
国别省市:
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