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一种基于柔性基底的太赫兹调制器膜材料的制备方法技术

技术编号:9272175 阅读:134 留言:0更新日期:2013-10-24 21:24
本发明专利技术公开了一种基于柔性基底的太赫兹调制器膜材料的制备方法,采用聚酰亚胺为柔性基底,清洗后在其表面沉积厚度为50~300nm的金属钒纳米薄膜,再将金属钒纳米薄膜进行快速热处理,形成金属钒薄膜厚度为100~600nm。本发明专利技术借助于激光激励,通过改变材料本身的性质来实现太赫兹波的调制,实现了调制器膜材料在柔性基底上的可操作性,为柔性基底集成电路新型器件提供了应用基础。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于柔性基底的太赫兹调制器膜材料的制备方法,具有以下步骤:?(1)柔性基底PI的清洗:?所用柔性基底为聚酰亚胺,简称PI,将其依次放入去离子水、丙酮溶剂和无水乙醇中分别超声清洗20分钟,随后放入质量分数为5%的醋酸溶液中浸泡15分钟,除去表面有机物杂质;再用去离子水洗净,烘干备用;?(2)制备金属钒纳米薄膜:?将步骤(1)清洗好的PI置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,采用质量纯度为99.99%的金属钒作为靶材,以质量纯度为99.999%的氩气作为工作气体,本底真空度4~6×10?4Pa,基片温度为室温,氩气气体流量为45?48mL/min,溅射工作气压为0.5~2Pa,溅射功率135~150W,溅射时间10~60min,在PI表面沉积金属钒纳米薄膜;?(3)基于柔性基底金属钒纳米薄膜的热处理?将步骤(2)制得的金属钒纳米薄膜置于快速热处理设备中,采用质量纯度为99.999%的氧气作为工作气体,氧气气体流量为30~50sccm,热处理温度为250~300℃,热处理时间为30~180s;?(4)采用标准的8?fTHz时域频谱系统测试基柔性基底氧化钒薄膜的调制特性,所加激光功率为200?600mW。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡明韦晓莹武雅乔夏晓旭朱乃伟
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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