【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射，在衬底上制备铜铟镓硒预制层，所述镓靶由三硒化二镓材料制成；所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射，并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射；及对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火，制得铜铟镓硒薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨春雷，于冰，程冠铭，冯叶，肖旭东，顾光一，鲍浪，郭延璐，徐苗苗，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，香港中文大学，
类型：发明
国别省市：
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