一种PECVD喷淋电极制造技术

一种PECVD喷淋电极，所述的电极（5）外形为圆桶形，上部有开口，下部有底；电极（5）的内部空间被带有通孔的初级气体匀气板（2）分成上下两部分，下部空间为初级气体缓冲室（1），上部空间为二级气体缓冲室（3）。初级气体缓冲室（1）内有一用于调整初级气体缓冲室体积的调整环（8），调整环（8）的下表面与电极（5）的底完全接触，调整环（8）的上表面与初级气体匀气板（2）完全接触。电极（5）上部的开口处有一带有通孔的二级气体匀气板（4），用以封闭开口；位于电极底的中心位置开有一进气口，进气口下连接有进气管。本发明专利技术通过改变初级气体匀气板与二级气体匀气板流导比实现喷淋效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备硅基薄膜类材料及硅基薄膜太阳能电池的设备，特别涉及一种采用PECVD法制备硅基薄膜类材料及硅基薄膜太阳能电池设备中的喷淋电极。
技术介绍
目前，采用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备硅基薄膜材料已经得到广泛应用。在太阳能电池制备过程中也都采用此法，包括薄膜电池、晶硅电池、异质结电池。在异质结电池制备过程中，因采用经过制绒后的硅片，且制备的硅基薄膜厚度很薄，对PECVD设备要求更高，即PECVD设备在制绒后的硅片上制备的硅基薄膜均匀性必须很好，换句话说也就是对电极结构提出了更高要求，首先是电极喷出的气流均匀性必须好，其次是电极的电场分布必须均匀。 在真空系统中实现气流均匀性，必须考虑到气体流动时的流导，流导是指气体在真空管道中的流通状态，气体的流动状态可分为五种不同情况湍流、湍-粘滞流、粘滞流、粘滞-分子流、分子流；湍流、湍-粘滞流一般只在真空形成初期存在，基本不用考虑对气流的影响，粘滞流当压强和流速逐渐降低，气流会变成具有不同速度的流动层，内摩擦力对气流其主要作用；分子流气体分子间的碰撞很少，甚至可以忽略，在管道内气体分子在密度的推动下，由高压端流向低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PECVD喷淋电极，其特征在于，所述的电极（5）外形为圆桶形，上部有开口，下部有底；电极（5）的内部空间被带有通孔的初级气体匀气板（2）分成上下两部分，下部空间为初级气体缓冲室（1），初级气体缓冲室（1）位于电极（5）的底和初级气体匀气板（2）之间；上部空间为二级气体缓冲室（3），二级气体缓冲室（3）位于初级气体匀气板（1）和开口之间；初级气体缓冲室（1）内有一用于调整初级气体缓冲室体积的调整环（8），调整环（8）的下表面与电极（5）的底完全接触，调整环（8）的上表面与初级气体匀气板（2）完全接触，电极（5）上部的开口处有一带有通孔的二级气体匀气板（4），用以封闭开口；位于电极底的中心位置...

【技术特征摘要】
1.ー种PECVD喷淋电极，其特征在于，所述的电极(5)外形为圆桶形，上部有开ロ，下部有底；电极(5)的内部空间被带有通孔的初级气体匀气板(2)分成上下两部分，下部空间为初级气体缓冲室(1)，初级气体缓冲室(I)位于电极(5)的底和初级气体匀气板(2)之间；上部空间为ニ级气体缓冲室(3)，ニ级气体缓冲室(3)位于初级气体匀气板(I)和开ロ之间；初级气体缓冲室(I)内有一用于调整初级气体缓冲室体积的调整环(8)，调整环(8)的下表面与电极(5)的底完全接触，调整环(8)的上表面与初级气体匀气板(2)完全接触，电极(5)上部的开ロ处有一帯有通孔的ニ级气体匀气板(4)，用以封闭开ロ ；位于电极底的中心位置开有ー进气ロ，进气口下连接有进气管，进气管为圆形，其外壁有螺纹。2.根据权利要求I所述的喷淋电极，其特征在于，所述的初级气体匀气板(2)上的通孔孔径相同、孔间距相等，通孔以阵列方式排列；初级气体缓冲室(I)体积小于ニ级气体缓冲室(3)的体积。3.根据权利要求I所述的喷淋电极，其特征在于所述的调整环(8)的外径与初级气体缓冲室(I)的内径相匹配，调整环(8)的内径小于其自身外径。4.根据权利要求I所述的喷淋电极，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刁宏伟，王文静，赵雷，周春兰，李海玲，陈静伟，闫宝军，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：