一种等离子真空镀膜室制造技术

技术编号:8374262 阅读:205 留言:0更新日期:2013-03-01 04:05
本实用新型专利技术公开了一种等离子真空镀膜室,其特征在于,镀膜室内设有金属网罩,金属网罩设有电子逃逸口,所述金属网罩通过一横向贯穿的金属棒将其固定于镀膜室内,所述金属棒与高脉冲电源电连接,其两端搭通过玻璃砖固定在支架上,所述金属棒与玻璃砖之间连接方式为搭接,搭接处存有的间隙填充有铝箔。本实用新型专利技术通过在金属网罩上设置电子逃逸口,可以将电子从某一固定方向释放出来,从而避免了电荷在工件、网罩、玻璃砖上的积累,可以显著减少打火的次数。玻璃砖通过开设小孔使其自身在高温下不会爆裂;通过在金属棒和玻璃砖之间填充铝箔,可以有效缓解空心阴极造成的打火现象。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及镀膜领域,具体地说是ー种对各种绝缘材质和导电材质的エ件内外表面进行镀膜的等离子镀膜设备。
技术介绍
等离子全方位离子沉积技术(Plasma Immersion Ion Deposition),简称为PIID技木,是等离子增强化学气相沉积技术的ー种,其原理是向镀膜エ件施加脉冲直流或者纯直流,エ件表面释放电子与真空室内的气体发生碰撞,产生了等离子体,带正电的离子和被激活的分子在エ件表面成膜。利用PIID技术可以制备出类金刚石涂层,简称DLC涂层;由于DLC涂层具有高硬度、低摩擦系数、耐磨耐腐蚀能等多种优异的性能而被广泛应用。 传统的等离子全方位离子镀膜设备,如图I所示,将被镀エ件11置于真空镀膜室2内,通过人机控制系统6开启抽气系统7后,将真空镀膜室内的气压抽至10_3Pa以下(由真空检测系统I測量),开启充气系统3,向真空室充入Ar气,调整气体流量和挡板的角度,使气压基本稳定在f 2Pa。并在エ件上施加高压脉冲电压(-4KV),脉冲电源系统5另一端接真空壁,真空壁作为阳极接地。由于エ件表面聚集了大量的自由电子,且气压满足辉光放电的气压工作区间,此时,エ件表面不断向真空室本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子真空镀膜室,其特征在于,镀膜室内设有金属网罩,金属网罩设有电子逃逸口,所述金属网罩通过一横向贯穿的金属棒将其固定于镀膜室内,所述金属棒与镀膜室外高脉冲电源电连接,其两端通过玻璃砖固定在支架上,所述金属棒与玻璃砖之间连接方式为搭接,搭接处存有的间隙填充有铝箔。

【技术特征摘要】
1.一种等离子真空镀膜室,其特征在于,镀膜室内设有金属网罩,金属网罩设有电子逃逸口,所述金属网罩通过一横向贯穿的金属棒将其固定于镀膜室内,所述金属棒与镀膜室外高脉冲电源电连接,其两端通过玻璃砖固定在支架上,所述金属棒与玻璃砖之间连接方式为搭接,搭接处存有的间隙填充有铝箔...

【专利技术属性】
技术研发人员:李灿民陶满陶圣全
申请(专利权)人:合肥永信等离子技术有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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