本发明专利技术大体上关于一种垂直CVD系统，所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统，将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。水平居中的垂直等离子体发生器为具有在处理腔室内垂直的等离子体源的等离子体发生器。应理解，由于垂直，所以等离子体源从接近或处于腔室底部的第一端延伸至接近或处于腔室顶部的第二端。应理解，由于水平居中，所以等离子体源等间隔地介于处理腔室的两个壁或两个端之间。可在从加利福尼Santa Clara的应用材料公司获得的改进的AKT Aristo系统中通过使用垂直CVD腔室来实施本文所论述的实施例。应理解，也可在其它系统(包括由其它制造商出售的那些系统)中实施实施例。图I为根据一个实施例的垂直、线性CVD系统100的不意图。系统100可经设置尺寸以在沉积2，000埃厚度的氮化娃膜时处理具有大于约90，OOOmm2的表面积的基板,且 能够每小时处理大于90个基板。系统100较佳包括两个分离的处理线114AU14B，所述处理线114AU14B通过公共系统控制平台112耦合在一起以形成双处理线配置/布局。公共电源(诸如，交流电源)、公共及/或共享泵送及排气组件和公共气体面板可用于双处理线114A、114B。对每小时大于90个基板的系统总量而言，每一个处理线114A、114B每小时可处理大于45个基板。也预期，可使用单个处理线或大于两个处理线来配置系统。用于垂直基板处理的双处理线114A、114B存在若干益处。因为腔室是垂直配置的，所以系统100的占位大约与单个、常规水平处理线相同。因此，在大致相同的占位内，存在两个处理线114AU14B，这有益于制造商在半导体代工厂中保存占地面积。为帮助理解术语“垂直”的含义，考虑平板显示器。诸如计算机监视器之类的平板显示器具有长度、宽度及厚度。当平板显示器为垂直时，长度或宽度从地平面垂直延伸，而厚度平行于地平面。相反地，当平板显示器为水平时，长度与宽度都平行于地平面，而厚度垂直于地平面。对大面积的基板而言，基板的长度及宽度比基板的厚度大许多倍。每一个处理线114A、114B包括基板堆栈模块102A、102B，从基板堆栈模块102A、102B取回新的基板(B卩，尚未在系统100内处理的基板)且存储经处理的基板。大气机器人104AU04B从基板堆栈模块102AU02B取回基板且将基板置放于双基板装载站106AU06B中。应理解，尽管基板堆栈模块102AU02B图示为具有沿水平定向堆栈的基板，但安置于基板堆栈模块102AU02B中的基板可类似于基板在双基板装载站106AU06B中所保持的方式沿垂直定向维持。随后，将新的基板移入双基板装载锁定腔室108AU08B中，且随后移动至双基板处理腔室1010AU010B。随后，现在处理的基板穿过双基板装载锁定腔室108AU08B中的一个而返回至双基板装载站106A、106B中的一个，其中所述基板由大气机器人104A、104B中的一个取回且返回至基板堆栈模块102AU02B中的一个。图2为图I的实施例的平面图。将同时就两个处理线114A、114B来论述顺序，即便基板仅沿一个路径下降。每一个机器人104AU04B可沿公共轨道202移动。如将在下文所论述地,每一个机器人104A、104B可使用两个基板装载站106A、106B。有时候,用以经由处理线114AU14B输送基板的基板载体将需要维护用于修理、清洁或替换。因此，基板载体维护站204A、204B沿与装载锁定腔室108A、108B相对的处理线114A、114B耦合至处理腔室110A、110B。为抽空装载锁定腔室108A、108B以及处理腔室110A、110B，一个或多个真空泵206可耦合至装载锁定腔室108AU08B及处理腔室110AU10B。为抽空装载锁定腔室108A、108B，真空泵206从耦合至两个装载锁定腔室106AU06B的抽空线210抽出真空。为抽空处理腔室 110A、110B，抽空线 212、214、216、218、220、222、224、226 耦合至处理腔室 110A、IlOB0将在下文参考图7进一步论述装载锁定腔室108A、108B及处理腔室110A、1 IOB的抽空。 图3为系统100的侧视图。在操作期间，处理腔室110AU10B的温度可升高，且因此经受热膨胀。类似地，具有升高温度的基板可从处理腔室110A、1 IOB进入装载锁定腔室108AU08B，这可使装载锁定腔室108AU08B经历热膨胀。为补偿装载锁定腔室108AU08B的热膨胀，装载锁定腔室108AU08B可具有端302，端302邻近于处理腔室110AU10B固定但允许装载锁定腔室108AU08B的剩余物以及邻近的基板装载站106AU06B在由箭头“A”所示的方向上移动。类似地，处理腔室110A、1 IOB可具有端304，端304邻近于装载锁定腔室108A、108B固定，而处理腔室110A、110B的另一端以及基板载体维护站204A、204B可由于热膨胀在由箭头“B”所示的方向上移动。当处理腔室110AU10B因热膨胀而膨胀时，基板载体维护站204A、204B也移动以允许处理腔室110A、110B膨胀。若当处理腔室110A、110B膨胀时基板载体维护站204A、204B未移动，则在炎热的夏日处理线114AU14B可非常类似铁路轨道地弯曲。类似地，当装载锁定腔室108A、108B膨胀时，基板装载站106A、106B也移动以允许装载锁定腔室108AU08B膨胀。图4为图示允许处理腔室IlOB因热膨胀而移动的装备的处理腔室IlOB的近视图。应理解，尽管参考处理腔室IlOB进行描述，但所述描述将同样地适用于装载锁定腔室108B。将处理腔室IlOB安置于框架402上。处理腔室IlOB的端304具有固定点404及可沿安置于框架402上的一块低摩擦材料408移动的底座部分406。可用于低摩擦材料408的合适材料包括聚四氟乙烯。将理解，还预期其它低摩擦材料。将理解，两个基板载体维护站204A、204B以及基板装载站106AU06B将具有安置于框架上的底座部分，所述框架具有低摩擦材料以允许基板载体维护站204A、204B以及基板装载站106AU06B移动。图5为图不抽空系统的处理系统100的后视图。图6A及6B为图不用于将真空系统连接至处理腔室IlOB的抽空位置的处理腔室IlOB的俯视图及部分侧视图。抽空线212、214、216、218、220、222、224、226各自具有随后耦合至分离器导管504A-504D 的垂直导管502A-502D。每一个分离器导管504A-504D具有耦合至处理腔室110A、1 IOB的两个连接点506A-506H。因此，对每一个处理腔室110A、110B的每一侧而言存在四个连接点。图6A示出用于处理腔室IlOB的连接点602A-602D。处理腔室IlOB图示为具有两个基板载体604A、604B，在所述基板载体604A、604B上各自具有基板606A、606B。等离子体发生器608与气体引入导管610 —样位于中心。等离子体发生器608为针对CVD在处理本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：栗田真一，J·库德拉，S·安瓦尔，J·M·怀特，任东吉，H·沃尔夫，D·兹瓦罗，稻川真，I·莫里，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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