垂直直列CVD系统技术方案

本发明专利技术大体上关于一种垂直CVD系统，所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统，将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。水平居中的垂直等离子体发生器为具有在处理腔室内垂直的等离子体源的等离子体发生器。应理解，由于垂直，所以等离子体源从接近或处于腔室底部的第一端延伸至接近或处于腔室顶部的第二端。应理解，由于水平居中，所以等离子体源等间隔地介于处理腔室的两个壁或两个端之间。可在从加利福尼Santa Clara的应用材料公司获得的改进的AKT Aristo系统中通过使用垂直CVD腔室来实施本文所论述的实施例。应理解，也可在其它系统(包括由其它制造商出售的那些系统)中实施实施例。图I为根据一个实施例的垂直、线性CVD系统100的不意图。系统100可经设置尺寸以在沉积2，000埃厚度的氮化娃膜时处理具有大于约90，OOOmm2的表面积的基板,且 能够每小时处理大于90个基板。系统100较佳包括两个分离的处理线114AU14B，所述处理线114AU14B通过公共系统控制平台本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗田真一，J·库德拉，S·安瓦尔，J·M·怀特，任东吉，H·沃尔夫，D·兹瓦罗，稻川真，I·莫里，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：