【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
在衬底的处理中,例如,在半导体衬底或诸如在平板显示器制造中使用的玻璃面板,通常采用等离子体。例如,作为衬底处理的一部分(等离子体蚀刻,化学气相沉积,等离子体增强化学气相沉积,物理气相沉积,等),衬底被分成多个管芯或矩形区域,该多个管芯或矩形区域中的每个将成为集成电路。然后,该衬底在一系列的步骤中处理,其中,选择性地去除(蚀刻)和添加(沉积)材料,以形成其上的电气元件。在示例性的等离子体工艺中,在蚀刻之前,衬底涂有硬化的感光乳液(S卩,如光致抗蚀剂掩模等)的薄膜。然后,选择性地去除硬化的感光乳液的区域,从而导致下伏衬底的一部分暴露。然后,在等离子处理系统的腔室中放置衬底在包括单极或双极型电极的被称为卡盘的衬底支撑结构上。然后使合适的工艺气体(如c4f8、c4f6、chf3、ch2f2、cf4、ch3f、c2f4、队、02、耶1^1^6、抱、!12、順3、3 6、8(13、(12,等等)通过气体输送系统的气体通道流入腔室,并使之电离形成等离子体以蚀刻衬底的暴露的区域。含卤素的工艺气体是高腐蚀性的,并 且会损坏气体通道的内表面。
技术实现思路
公开了一种用于涂布气体输 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:伊恩·肯沃西,杜安·奥特卡,郝方力,伦纳德·沙普利斯,杜义军,
申请(专利权)人:朗姆研究公司,
类型:
国别省市:
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