碳膜叠层体制造技术

本发明专利技术的目的在于，解决作为以往的将铜箔用于基板中的利用热CVD的石墨烯成膜的课题的晶体尺寸小的问题，提供一种堆积了晶体尺寸更大的石墨烯而成的碳膜叠层体，通过制成如下的碳膜叠层体，即，具备具有由在原子水平下平坦的平台面和原子层台阶构成的表面的蓝宝石(0001)单晶基板、在基板上外延生长而形成的铜(111)单晶薄膜、和堆积在铜(111)单晶薄膜上的石墨烯，可以制成晶体尺寸大的石墨烯。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于在电子器件、透明导电膜等中使用的大面积的碳膜叠层体。
技术介绍
由发生了 SP2键合的碳原子所形成的平面状的单层碳膜、即石墨烯由于可称为其特异的高导电性、光透过率，而被期待作为超高性能电子器件、透明导电性薄膜等的基础材料来利用。迄今为止，开发出了从天然石墨中的剥离法、碳化硅的借助高温热处理的硅的脱离法、以及在各种金属表面上的形成法等石墨烯形成方法。特别是在最近，开发出了利用化学气相合成法(CVD)在铜箔表面上形成单层到数层的石墨烯的方法(非专利文献1、2)。以铜箔作为基体材料的石墨烯成膜方法是利用热CVD的方法。该方法中将作为原料气体的甲烷气体在约1000°C左右下热分解，从而在铜箔 表面形成单层到数层的石墨烯。该以铜箔作为基体材料的方法中利用了铜的表面特性，与以往的使用镍等其他金属的方法相比，可以控制性良好地合成石墨烯。另一方面，采用使用铜箔作为基体材料的合成方法得到的石墨烯的晶体尺寸在现在的情况下最大为数十微米。为了将石墨烯作为高性能电子器件等的材料来利用，要求尽可能大的晶体尺寸的石墨烯，因而晶体尺寸的扩大成为一个课题。现有技术文献非专利文献非专利文献l:本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川雅考，石原正统，古贺义纪，金载浩，津川和夫，饭岛澄男，
申请(专利权)人：独立行政法人产业技术总合研究所，
类型：
国别省市：