【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子材料制造领域，具体涉及一种石墨烯薄膜的制备方法和一种石墨烯薄膜连续式生产装置。
技术介绍
石墨烯材料常温下电子迁移率超过15000 cm2/V · s,高于单晶硅，而电阻率只约10_6 Ω ·_，为目前世上电阻率最小的材料。此外，石墨烯同时具有优异的机械性能和良好的透明性。这些特性使石墨烯有望成为下一代半导体芯片和平板显示领域的基础材料。目前，大面积石墨烯主要使用化学气相沉积法制备。传统的化学气象沉积法使用对整个真空腔体进行加热，从而完成石墨烯生长基底的退火和碳源气体的分解，普遍存在着能耗高、难以大面积生产的问题，限制了石墨烯的大规模生产和应用。
技术实现思路
本专利技术提出了一种在真空腔体内设置加热器件，使用对石墨烯生长基底局部加热的方法取代传统化学气相沉积法对中整个反应腔体进行加热的方法，并设计了以此方法为基础的石墨烯连续式生产装置。本专利技术的特点是在真空腔体内设置加热器件，采用局部加热的方式对石墨烯生长基底进行高温退火并为化学气相沉积石墨烯薄膜提供高温环境，促进碳源气体的分解，提供石墨烯晶体薄膜生长所需的碳原子。进一步，局部加热所用的加热...
【技术保护点】
石墨烯生产方法和连续式生产装置，其特征在于：将加热器件设置于真空腔体内，采用局部加热的方式对生长基底加热退火并为化学气相沉积石墨烯薄膜提供反应所需的高温环境；将基底退火系统、化学气相沉积系统、石墨烯快速降温系统依次集成于同一真空腔体中。
【技术特征摘要】
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