真空处理装置、基板和对位掩模的移动方法以及对位方法及成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种即便不将真空槽内曝露于大气也能够更换对位掩模的真空处理装置。在气体导入装置（12）的下方配置插入有基板升降销（46）、在上下方向中比基板升降销（46）还长的掩模升降销（45）的板（23），在板（23的下方配置有构成为在令与板（23）之间接近至第一距离以下时分别铅直地载置掩模升降销（45）和基板升降销（46）的销支承部件（24）。掩模升降销（45）和基板升降销（46）上设置卡止部件（47），当令板（23）和销支承部件（24）之间为比第一距离还分离的第二距离以上时，令掩模升降销（45）和基板升降销（46）在销支承部件（24）上方从销支承部件（24）离开而被板（23）悬吊。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及真空处理装置及基板和对位掩模的移动方法以及对位方法及成膜方法。
技术介绍
有机EL元件发光效率高且能够组装为薄的发光装置，所以近年来在大面积化的显示装置及照明设备的用途中受到人们的注目。在有机EL元件的制造过程中，在基板上形成下部电极、有机发光层、上部电极，接着在该基板上形成氮化硅或者氧化硅等的保护膜。 有机发光层容易由于热而受到损伤，所以对于保护膜的形成方法使用能够以比热CVD法低的温度进行成膜的等离子体CVD (PE 一 CVD)法。需要以例如配线用的连接部露出的状态来成膜保护膜，所以在基板上配置对位掩模。向真空槽内导入SiH4等的原料气体、和N2、NH3、02等的反应气体而使得产生等离子体。原料气体与反应气体到达在对位掩模的开ロ部处露出的基板上，在基板上形成沿着开ロ部的平面形状的平面形状的薄膜。当前，在将成膜装置的真空槽内向大气开放后，利用人的手将上述这样的对位掩模配置在真空槽内。因而，存在真空槽内的粒子管理难以管理的问题。此外，装置的停机时间也变长，且需要人手操作。进而，对位掩模必须随着利用同一装置生产的基板的品种变化而变更，所以有时一天中需要在エ厂进行数次将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤裕子，菊池正志，龟崎厚治，冈山智彦，下田圭介，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：
国别省市：