制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法技术

本发明专利技术提供一种制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法，包括：1）在基底上引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）向上述基底引入Ti的前驱体TiCl4脉冲，清洗残余的TiCl4，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗残余(R3Si)2Te和反应副产物；3）向上述基底引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入Sb的前驱体(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物。采用本发明专利技术方法制备的钛-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
，特别是涉及一种。
技术介绍
相变存储器(PCM)是一种新兴的半导体存储器，与目前已有的多种半导体存储技术相比，包括常规的易失性技术，如静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)等，和非易失性技术，如介电随机存储器(FeRAM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPR0M)、闪速存储器(FLASH)等，具有非易失性、循环寿命长(>1013次)、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温(_55 125° C)、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单(能和现有的集成电路工艺相匹配)等优点。相变存储器(PCM)以硫系化合物为存储介质，利用电能 (热量)使材料在晶态(低阻)与非晶态(高阻)之间相互转化实现信息的写入和擦除，信息的读出靠测量电阻的变化实现。相变存储器(PCM)是最具竞争力的下一代非易失性半导体存储器，当前已实现小批量产业化，其市场前景被广为看好。随着工艺节点的推进，PCM器件结构由平板型转变为具有更低功耗的纳米限定孔型，器件尺寸的不断缩小以及器件结构深宽比的不断加大使得相变材料的填充面临巨大的困难。目前，相变材料的制备采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用原子层沉积法制备钛?锑?碲相变材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在基底上引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）向上述基底引入Ti的前驱体TiCl4脉冲，清洗残余的TiCl4，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗残余(R3Si)2Te和反应副产物；3）向上述基底引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入Sb的前驱体(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物。

【技术特征摘要】
1.一种采用原子层沉积法制备钛-锑-碲相变材料的方法，其特征在于，包括以下步骤 1)在基底上引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物； 2)向上述基底引入Ti的前驱体TiCl4脉冲，清洗残余的TiCl4，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗残余(R3Si)2Te和反应副产物； 3)向上述基底引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入Sb的前驱体(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物。2.根据权利要求I所述的采用原子层沉积法制备钛-锑-碲相变材料的方法，其特征在于重复步骤1)、2)及3)中的一个或一个以上步骤，直至获得所需厚度的钛-锑-碲相变材料薄膜。3.根据权利要求2所述的采用原子层沉积法制备钛-锑-碲相变材料的方法，其特征在于通过控制步骤1)、2)及3)各自的重复次数以控制钛-锑-碲相变材料薄膜的成分。4.根据权利要求I所述的采用原子层沉积法制备钛-锑-碲相变材料的方法，其特征在于所述钛-锑-碲相变材料的沉积速率通过沉积压力、沉积温度、前驱体脉冲长度以及清洗时间控制。5.根据权利要求I所述的采用原子层沉积法制备钛-锑-碲相变材料的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋三年，宋志棠，吴良才，饶峰，刘波，朱敏，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：