一种实现局部互连的方法技术

本发明专利技术涉及半导体结构及其制备技术领域，尤其涉及一种实现局部互连的方法。本发明专利技术通过利用现有刻蚀工艺或者增加特殊的刻蚀工艺，形成接触孔以将深沟槽中的多晶硅接出来用作局部互连线，这样减小了器件互连所用到的面积，从而减小器件的面积，同时还利用相变存储器的结构和制造工艺，将氮化钛和锗锑碲材料用作局部互连线，从而可以制造出更大更精确的电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体结构及其制备
，尤其涉及一种使用深沟槽隔离工艺实现局部互连和在很小的面积上制作精确的大电阻的技术。
技术介绍
现代的电子电路是由一个个分离的器件通过特定的电学通路连接起来的，因此在集成电路制造中必须能够把半导体器件隔离开来，这些器件随后还要能够互连以形成所需要的特定的电路结构。在集成电路的制造过程中，在同一块衬底上经常会存在多个半导体器件，我们需要保证各个器件之间的电学隔离，而隔离不好会造成漏电、击穿电压低、闩锁效应等问题。因此隔离技术是集成电路制造中一项关键技术，目前半导体器件之间的隔离技术有以下几种：1、结隔离，主要是利用背栅二极管实现，这种技术主要应用于双极型晶体管之间的隔离，在目前的CMOS工艺下，PMOS和NMOS的隔离可以通过N阱实现，N阱和P型外延层构成PN结起到隔离的作用，这种隔离技术占用的面积较大；2、局部硅氧化隔离(LOCOS)，0.5um以上的MOS工艺器件之间的场氧隔离一般采用LOCOS的结构，这种技术是利用氮化硅(例如Si3N4)薄膜掩蔽氧化层的特点，先在器件的有源区覆盖一层氮化硅， 接着在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现局部互连的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一具有导电类型的衬底；于所述衬底中形成深沟槽，并于所述深沟槽的底部及其侧壁形成第一绝缘层后，制备导电材料充满所述深沟槽；刻蚀去除部分所述第一绝缘层和部分所述导电材料层，以于所述深沟槽中顶部形成一浅沟槽后，制备第二绝缘层充满所述浅沟槽；部分刻蚀所述第二绝缘层形成接触孔，通过所述接触孔将所述导电材料引出以实现局部互连。

【技术特征摘要】
1.一种实现局部互连的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一具有导电类型的衬底；
于所述衬底中形成深沟槽，并于所述深沟槽的底部及其侧壁形成
第一绝缘层后，制备导电材料充满所述深沟槽；
刻蚀去除部分所述第一绝缘层和部分所述导电材料层，以于所述
深沟槽中顶部形成一浅沟槽后，制备第二绝缘层充满所述浅沟槽；
部分刻蚀所述第二绝缘层形成接触孔，通过所述接触孔将所述导
电材料引出以实现局部互连。
2.如权利要求1所述的实现局部互连的方法，其特征在于，所
述导电类型为P型或N型。
3.如权利要求1所述的实现局部互连的方法，其特征在于，采
用深反应离子刻蚀的方法于所述衬底中形成深沟槽。
4.如权利要求1所述的实现局部互连的方法，其特征在于，所
述导电材料为掺杂的多晶硅。
5.如权利要求1所述的实现局部互连的方法，其特征在于，所
述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为氧化层。
6.如权利要求5所述的实现局部互连的方法，其特征在于，于
所述深沟槽的底部及其侧壁形成第一绝缘层的步骤包括：
进行氧化工艺，于所述深沟槽的底部及其侧壁形成氧化层。
7.如权利要求1所述的实现局部互连的方法，其特征在于，当

【专利技术属性】
技术研发人员：亢勇，陈邦明，
申请(专利权)人：上海新储集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31