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本发明涉及半导体结构及其制备技术领域，尤其涉及一种实现局部互连的方法。本发明通过利用现有刻蚀工艺或者增加特殊的刻蚀工艺，形成接触孔以将深沟槽中的多晶硅接出来用作局部互连线，这样减小了器件互连所用到的面积，从而减小器件的面积，同时还利用相变存...
该专利属于上海新储集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新储集成电路有限公司授权不得商用。

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