一种用于短时非易失性存储器的数据刷新方法技术

本发明专利技术涉及非易失存储器技术领域，尤其涉及一种用于短时非易失性存储器的数据刷新方法，其中包括，一短时非易失性存储器，短时非易失性存储器的存储阵列包括复数个存储区域；数据刷新方法包括：步骤S1、将复数个存储区域依序排列，定义一全空的存储区域为刷新块；步骤S2、于短时非易失性存储器进行数据刷新时，将刷新块的前一级的存储区域的数据转移至刷新块中，完成前一级的存储区域数据的刷新，将前一级的存储区域定义为刷新块；步骤S3、将存储区域的依序排列进行数据刷新，直至完成对短时非易失性存储器的全部数据的一次刷新。上述技术方案的有益效果：通过刷新短时非易失性存储器中的数据，保持了其精度。

A data refresh method for short time nonvolatile memory

【技术实现步骤摘要】
一种用于短时非易失性存储器的数据刷新方法
本专利技术涉及非易失存储器
，尤其涉及一种用于短时非易失性存储器的数据刷新方法。
技术介绍
在目前人工智能以及物联网的应用环境下，边缘设备中逻辑处理部分需要较高的访问速度来访问存储器中的数据来高效地完成人工智能算法，同时也需要较小的物理空间，大的存储空间和低的功耗，由于闪存的非易失性以及高存储密度使其成为边缘设备中存储模块的首先，对于闪存来讲，为了提升逻辑处理单元对其的访问速度，通常业内人员将晶体管中栅极下面的二氧化硅变薄，来提升写数据的速度，但这会造成浮栅保存电子的能力变差，晶体管保存数据的时间变短从而变成短时非易失性存储器，因此需要不断刷新闪存中的数据，来保证其精度。同时为了提升闪存的存储密度可将闪存中单个存储单元存储数据的位数提升至2位、3位、4位或者更多的位数，这也将导致闪存这个非易失性存储器保持数据的时间变短从而变为短时非易失性存储器，如果不及时将存储器中数据刷新，将造成数据精度的损失，基于此本专利技术提出一种刷新短时非易失性存储器数据的结构，来刷新短时非易失性存储器中的数据以保持其精度。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种用于短时非易失性存储器的数据刷新方法。具体技术方案如下：一种用于短时非易失性存储器的数据刷新方法，其中包括，提供一短时非易失性存储器，所述短时非易失性存储器的存储阵列包括复数个存储区域；所述数据刷新方法具体包括：步骤S1、将复数个所述存储区域依序排列，并预先定义一全空的所述存储区域为刷新块；步骤S2、于所述短时非易失性存储器进行数据刷新时，当所述短时非易失性存储器的保存数据的时间达到一刷新周期时，则将所述刷新块的前一级的所述存储区域的数据转移至所述刷新块中，以完成前一级的所述存储区域数据的刷新，之后将前一级的所述存储区域定义为所述刷新块；步骤S3、于步骤S2后，按照所述存储区域的依序排列进行数据刷新，直至第一级的所述存储区域的数据转移至第二级的所述存储区域中，以完成对所述短时非易失性存储器的全部数据的一次刷新。进一步的，复数个所述存储区域大小相同。进一步的，所述刷新周期为所述存储区域中最短的存储单元保持数据的时间。进一步的，所述短时非易失性存储器为闪存；和或相变存储器；和或磁性存储器；和或铁电存储器；和或阻变存储器。进一步的，所述刷新块为所述非易失性存储器的存储区域；和或所述非易失性存储器连接外部的存储模块。进一步的，所述刷新块为所述短时非易失性存储器外部的存储模块时，所述短时非易失性存储器的数据全部写入至所述刷新块中，再转移至所述短时非易失性存储器中，以进行数据刷新。上述技术方案的有益效果：通过将短时非易失性存储器的复数个存储依序排列，预先定义一个全空的存储区域为刷新块，通过将刷新块的前一级存储序列转移至刷新块中，再定义前一级存储区域为刷新块，依照存储区域的排列顺序依次进行数据刷新，直至第一级存储区域数据转移至第二级存储区域中时，完成全部数据的一次刷新，使为提升非易失性存储设备其他方面性能不得不改变成为短时非易失性存储设备时，通过刷新短时非易失性存储器中的数据，最终保持其精度。附图说明图1为本专利技术提供的一种用于短时非易失性存储器的数据刷新方法步骤流程图；图2为本专利技术提供的刷新短时非易失存储器数据的方法示意图；图3为本专利技术提供的浮栅晶体管结构图；图4为本专利技术提供的外部存储器刷新短时非易失存储器数据的方法示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图1至附图4和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。一种用于短时非易失性存储器的数据刷新方法，其中包括，提供一短时非易失性存储器，短时非易失性存储器的存储阵列包括复数个存储区域；数据刷新方法具体包括：步骤S1、将复数个存储区域依序排列，并预先定义一全空的存储区域为刷新块；步骤S2、于短时非易失性存储器进行数据刷新时，当短时非易失性存储器的保存数据的时间达到一刷新周期时，则将刷新块的前一级的存储区域的数据转移至刷新块中，以完成前一级的存储区域数据的刷新，之后将前一级的存储区域定义为刷新块；步骤S3、于步骤S2后，按照存储区域的依序排列进行数据刷新，直至第一级的存储区域的数据转移至第二级的存储区域中，以完成对短时非易失性存储器的全部数据的一次刷新。上述技术方案中，通过将短时非易失性存储器的复数个存储依序排列，预先定义一个全空的存储区域为刷新块，通过将刷新块的前一级存储序列转移至刷新块中，再定义前一级存储区域为刷新块，依照存储区域的排列顺序依次进行数据刷新，直至第一级存储区域数据转移至第二级存储区域中时，完成全部数据的一次刷新，利用将存储器中数据及时刷新，使数据精度的损失达到最小，保证了数据的精度。进一步的，如图2所示，其中短时非易失性存储器被分为大小相同的N块，设定其中全空的存储区域N为刷新块，当短时非易失性存储的的数据需要刷新时，将存储区域N-1中的数据导入到刷新块中，完成对存储区域N-1的数据的刷新，再将存储区域N-2的数据转移到存储区N-1中，完成对存储区域N-2的数据的刷新，直到将存储区域1中数据转移到存储区域2，完成了对所有数据的一次刷新。进一步的，如图3所示，为闪存的晶体管存储单元，在器件基础上减薄了栅极氧化层的厚度，使得高低电位翻转阈值降低，电子能更容易的从沟道进入栅极电子存储层，从而加快存储器的写速度。但这一方式同样会使得电子更容易的从栅极电子存储层返回沟道使得电荷损失，导致保存的数据一段时间后丢失，缩短了数据的保持时间，这种原因导致的数据丢失使得非易失性的存储器变成短时的非易失性存储器。作为优选的实施例，复数个存储区域大小相同，用以更好的对存储数据进行刷新，保证数据的准确。作为优选的实施例，刷新周期为所述存储区域中最短的存储单元保持数据的时间，用以更好的控制刷新操作。作为优选的实施例，短时非易失性存储器为闪存；相变存储器；磁性存储器；铁电存储器；阻变存储器，使非易失性存储器的数据刷新方法适用于各类非易失性存储器，增加使用范围。作为优选的实施例，刷新块为非易失性存储器的存储区域，非易失性存储器连接外部的存储模块；如图4所示，当刷新块为短时非易失性存储器外部的存储模块时，短时非易失性存储器的数据全部写入至刷新块中，再转移至短时非易失性存储器中，以进行数据刷新。上述技术方案中，通过灵活定义刷新块使非易失性存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于短时非易失性存储器的数据刷新方法，其特征在于，提供一短时非易失性存储器，所述短时非易失性存储器的存储阵列包括复数个存储区域；/n所述数据刷新方法具体包括：/n步骤S1、将复数个所述存储区域依序排列，并预先定义一全空的所述存储区域为刷新块；/n步骤S2、于所述短时非易失性存储器进行数据刷新时，当所述短时非易失性存储器的保存数据的时间达到一刷新周期时，则将所述刷新块的前一级的所述存储区域的数据转移至所述刷新块中，以完成前一级的所述存储区域数据的刷新，之后将前一级的所述存储区域定义为所述刷新块；/n步骤S3、于步骤S2后，按照所述存储区域的依序排列进行数据刷新，直至第一级的所述存储区域的数据转移至第二级的所述存储区域中，以完成对所述短时非易失性存储器的全部数据的一次刷新。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于短时非易失性存储器的数据刷新方法，其特征在于，提供一短时非易失性存储器，所述短时非易失性存储器的存储阵列包括复数个存储区域；
所述数据刷新方法具体包括：
步骤S1、将复数个所述存储区域依序排列，并预先定义一全空的所述存储区域为刷新块；
步骤S2、于所述短时非易失性存储器进行数据刷新时，当所述短时非易失性存储器的保存数据的时间达到一刷新周期时，则将所述刷新块的前一级的所述存储区域的数据转移至所述刷新块中，以完成前一级的所述存储区域数据的刷新，之后将前一级的所述存储区域定义为所述刷新块；
步骤S3、于步骤S2后，按照所述存储区域的依序排列进行数据刷新，直至第一级的所述存储区域的数据转移至第二级的所述存储区域中，以完成对所述短时非易失性存储器的全部数据的一次刷新。


2.根据权利要求1所述的一种用于短时非易失性存储器的数据刷新方法，其特征在于，所述复数个所述存储区域大小相同。...

【专利技术属性】
技术研发人员：景蔚亮，王海波，陈邦明，
申请(专利权)人：上海新储集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31