一种新型平板式PECVD设备及其气路接孔结构制造技术

本发明专利技术公开了一种新型平板式PECVD气路接孔结构，特气气孔的输出端连通有新型特气孔接头，新型特气孔接头具有顶端封闭的管体，在管体的侧壁上开设有多个侧孔，每个侧孔的输出端均连通有侧管，每个侧管的输出方向与特气气孔的输出方向相同。本发明专利技术提供的新型平板式PECVD气路接孔结构，通过在特气气孔的输出端连通具有多个侧孔的新型特气孔接头，避免出现某一位置特气孔堵塞的现象从而保证设备运行的长时间的稳定性，从而延长设备维护周期，增加设备的产量，另外减少因为特气孔的堵塞对沉积的氮化硅膜层厚度的不同导致片间色差等不合格片的产生，提高产品的合格率。本发明专利技术还公开了一种应用了上述气路接孔结构的新型平板式PECVD设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化工
，特别涉及一种新型平板式PECVD设备及其气路接孔结构。
技术介绍
氮化硅薄膜具有高的化学稳定性、高电阻率、绝缘性好、硬度高、光学性能良好等特性，在太阳能电池上得到广泛的应用。目前，平板式PECVD和管式PECVD在工业生产中得到了广泛应用。相对管式PECVD，平板式PECVD有着均匀性好和产量高的特点。平板式PECVD设备被广泛应用。 现有的平板式PECVD设备中，沉积氮化硅膜用的气路一般包括4，6，8路等，其中每一路的示意图如图I所示。每一个气路I上面开有不同数量的直径为O. 8-1. 5mm的特气气孔2，将管路中的特气3引入到反应腔室中，发生反应沉积出氮化硅膜，4为流量计。但是平板式PECV D设备在运行一段时间后，因为各气路的特气气孔会沉积氮化硅和硅颗粒等发生不同程度的堵塞，如果其中一个孔堵塞，该处气体流量将会下降，但是气体总流量不变，则其他位置的气体流量将会变大，进而导致不同位置沉积的氮化硅膜厚度出现变化，均匀性变差，对氮化硅膜的稳定性以及可能会引起色差导致硅片的不合格。当氮化硅膜层厚度因为气孔的堵塞出现偏差较大时，经工艺调整不能解决的便需要对设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型平板式PECVD气路接孔结构，其特征在于，特气气孔的输出端连通有新型特气孔接头，所述新型特气孔接头具有顶端封闭的管体，在所述管体的侧壁上开设有多个侧孔，每个所述侧孔的输出端均连通有侧管，每个所述侧管的输出方向与所述特气气孔的输出方向相同。

【技术特征摘要】
1.一种新型平板式PECVD气路接孔结构，其特征在于，特气气孔的输出端连通有新型特气孔接头，所述新型特气孔接头具有顶端封闭的管体，在所述管体的侧壁上开设有多个侧孔，每个所述侧孔的输出端均连通有侧管，每个所述侧管的输出方向与所述特气气孔的输出方向相同。2.根据权利要求I所述的新型平板式PECVD气路接孔结构，其特征在于，多个所述侧孔及其对应的所述侧管在所述新型特气孔接头的侧壁上沿周向均匀分布。3.根据权利要求2所述的新型平板式PECVD气路接孔结构，其特征在于，相邻的两个所述侧孔的高度不相同。4.根据权利要求3所述的新型平板式PECVD气路接孔结构，其特征在于，多个所述侧孔采用低位和高位相间的方式分布在所述管体的侧壁上。5.根据权利要求4所述的新型平板式PECVD气路接孔结构，其特征在于，位于低位的多个所述侧孔的高度相同，组成第一侧孔组；位于高位的多个所述侧孔的高度相同，组成第二侧孔组。6.根据权利要求5所述的新型平板式PECVD气路接孔结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：范志东，田世雄，马继奎，汤欢，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：