【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种依次供给互相进行反应的处理气体而在基板的表面上层叠反应生成物并对于基板进行等离子体处理的。
技术介绍
作为对于半导体晶圆等基板(以下称作“晶圆”)成膜例如硅氧化膜(SiO2)等薄膜的技术的一种，能够列举出依次向晶圆的表面供给互相进行反应的多种处理气体(反应气体)而层叠反应生成物的ALD(Atomic Layer Deposition :原子层沉积)法。作为使用该ALD 法进行成膜处理的成膜装置公知有如下装置，例如如日本国特许出愿公开2010-239102中所记载的，在设置在真空容器内的旋转台上沿圆周方向排列多张晶圆，并且通过例如使旋转台相对于以面对旋转台的方式配置的多个气体供给部相对地进行旋转，从而对该晶圆依次供给各种处理气体。那么，与一般的CVD (Chemical Vapor Deposition :化学气相沉积)法相比,在ALD 法中晶圆的加热温度(成膜温度)例如低300°C左右。因此，在上述处理气体之中的一种为例如NH3(氨)气体等情况下，存在有不能够使该NH3气体活化至生成反应生成物的程度的情况。另外，例如存在有处理气体中所含有的有机...
【技术保护点】
一种在真空容器内多次进行依次供给第1处理气体和第2处理气体的循环而在基板上进行成膜处理的成膜装置，其中，该成膜装置包括：旋转台，在其一面侧形成有用于载置基板的基板载置区域，该旋转台用于使上述基板载置区域在上述真空容器内进行公转；第1处理气体供给部和第2处理气体供给部，其用于向在该旋转台的圆周方向上被隔离区域互相隔离开的区域分别供给第1处理气体及第2处理气体；主等离子体产生气体供给部及辅助等离子体产生气体供给部，其用于向上述真空容器内分别供给主等离子体产生用气体及辅助等离子体产生用气体；以及主等离子体产生部及辅助等离子体产生部，其在上述旋转台的圆周方向上互相分开设置，用于分别...
【技术特征摘要】
2011.09.05 JP 2011-1930461.ー种在真空容器内多次进行依次供给第I处理气体和第2处理气体的循环而在基板上进行成膜处理的成膜装置，其中，该成膜装置包括 旋转台，在其一面侧形成有用于载置基板的基板载置区域，该旋转台用于使上述基板载置区域在上述真空容器内进行公转； 第I处理气体供给部和第2处理气体供给部，其用于向在该旋转台的圆周方向上被隔离区域互相隔离开的区域分别供给第I处理气体及第2处理气体； 主等离子体产生气体供给部及辅助等离子体产生气体供给部，其用于向上述真空容器内分别供给主等离子体产生用气体及辅助等离子体产生用气体；以及 主等离子体产生部及辅助等离子体产生部，其在上述旋转台的圆周方向上互相分开设置，用于分别使主等离子体产生用气体及辅助等离子体产生用气体等离子体化； 上述主等离子体产生部具有 天线，其面对上述旋转台的一面侧设置，以在上述真空容器内利用电感耦合使主等离子体产生用气体等离子体化；以及 法拉第屏蔽，其介于上述天线与进行等离子体处理的区域之间，导电性的板状体并接地，其在该天线延伸的方向上排列有多个沿与上述天线正交的方向延伸的狭缝，以阻止在上述天线的周围产生的电场磁场中的电场成分的通过并使磁场向基板侧通过。2.根据权利要求I所述的成膜装置，其中， 上述主等离子体产生部及上述辅助等离子体产生部是用于处理种类互不相同的等离子体处理的部分。3.根据权利要求I所述的成膜装置，其中， 上述辅助等离子体产生部具有 天线，其面对上述旋转台的一面侧设置，以在上述真空容器内利用电感耦合使主等离子体产生用气体等离子体化；以及 法拉第屏蔽，其介于上述天线与进行等离子体处理的区域之间，导电性的板状体并接地，其在该天线延伸的方向上排列有多个沿与上述天线正交的方向延伸的狭缝，以阻止在上述天线的周围产生的电场磁场中的电场成分的通过并使磁场向基板侧通过。4.根据权利要求I所述的成膜装置，其中， 上述主等离子体产生部是用于使第I处理气体及第2处理气体中的ー种处理气体等离子化，以使等离子化了的处理气体与吸附在基板上的第I处理气体及第2处理气体中的另ー种的处理气体反应，而且 上述辅助等离子体产生部是用于对吸附在基板上的上述一种处理气体的成分和由第I处理气体及第2处理气体反应生成在基板上的反应生成物中的任一方进行改性。5.根据权利要求I所述的成膜装置，其中， 上述主等离子体产生部用于进行对生成在基板上的反应生成物进行蚀刻的等离子体处理， 上述辅助等离子体产生部用于进行由第...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，菱谷克幸，牛窪繁博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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