成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供成膜装置，包括：旋转台，其设于真空容器内，在其上表面上沿周向具有用于载置基板的多个基板载置区域，并且用于使该基板载置区域旋转；气体喷嘴，其以从基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设置，沿其长度方向形成有用于喷出气体的气体喷出口；排气口，其设于气体喷嘴的靠旋转台的旋转方向侧且比旋转台的外缘靠外侧的位置，用于排出气体；限制构件，其包括壁部，该壁部配置于气体喷嘴与排气口之间，设置为在基板载置区域载置有基板时能够供气体从该壁部与该基板之间通过的间隙从基板载置区域的内缘延伸到外缘，并且，该壁部在从基板载置区域的内缘到外缘之间的至少一部分区域将气体喷嘴与排气口之间隔开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种成膜装置。
技术介绍
作为在半导体晶圆(以下称为“晶圆”)等基板上形成例如氧化硅膜(SiO2)等薄膜的方法之一，能够列举出原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)法。在ALD法中，例如，按顺序将用于进行反应的多种处理气体(反应气体)供给到基板的表面而使反应生成物层叠于基板的表面。作为利用该ALD法进行成膜处理的成膜装置，例如，如专利文献I和专利文献2所记载的那样，公知有如下的装置使多张基板在设于真空容器内的旋转台上沿着周向排列，接着，使旋转台旋转，从而从第I反应气体喷嘴和第2反应气体喷嘴按顺序向上述基板供给各处理气体。第I反应气体喷嘴和第2反应气体喷嘴的下方区域分别相当于第I处理区域和第2处理区域，在这些第I处理区域和第2处理区域之间形成有用于使分离气体流过这些处理区域的分离区域。并且，在第I处理区域和第2处理区域，在旋转台的周缘侧设有用于对真空容器内进行排气的排气口。在上述第I处理区域和第2处理区域中，第I反应气体和第2反应气体连同分离气体一起流向排气口。因此，能够抑制第I反应气体和第2反应气体的混合，能够利用ALD法进行良好的成膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其在真空容器内向基板供给气体以在上述基板上形成薄膜，其中，该成膜装置包括：旋转台，其设于上述真空容器内，在其上表面上沿周向具有用于载置基板的多个基板载置区域，并且，该旋转台用于使该基板载置区域旋转；气体喷嘴，其以从上述基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设置，沿其长度方向形成有分别用于喷出气体的多个气体喷出口；排气口，其设于上述气体喷嘴的靠上述旋转台的旋转方向侧且比上述旋转台的外缘靠外侧的位置，用于排出上述气体；限制构件，其包括壁部，该壁部配置于上述气体喷嘴与上述排气口之间，该壁部设置为在上述基板载置区域上载置有基板时能够供气体从该壁部与该基板之间通过的间隙从上述基板载置区域的内缘...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，牛窪繁博，菱谷克幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：