一种沉积非晶硅薄膜的真空设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于沉积非晶硅薄膜的真空设备，真空泵组通过真空管道和沉积腔室相连，以保证沉积薄膜时所需的真空环境。沉积腔室通过螺栓固定在支撑平台上。在沉积腔室的侧面对称设有样品门和观测窗，能方便样品的取放以及观察样品的成膜情况。水冷腔室设置在沉积腔室的外部，沉积薄膜时能对沉积腔室和相关零部件进行充分的冷却。ETP等离子体源安装于沉积腔室的正上方中心轴线上，用于产生高密度等离子体，对沉积气体进行离化。特气喷嘴与真空沉积腔室连接。加热系统和样品台置于腔室底部中心，用于盛放样品和对样品进行加热。本实用新型专利技术实现了单腔室、快速沉积，可对生产进行模拟和样品分析。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术提供一种用于沉积非晶硅薄膜的真空设备，提高非晶硅薄膜材料沉积速率和薄膜均匀性，并可获得较好的薄膜性能。技术背景等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是制备晶硅和薄膜太阳能电池的关键设备。按等离子体源与样品的关系可将PECVD技术分为直接和间接技术。多级直流弧放电等离子体PECVD技术是间接PECVD技术的一种，这种沉积装置中等离子体源和沉积腔室间的压力相差很大，达到亚大气压，在这种等离子体源中氩气气体的离化率可达10%，NH3分解率可达100%。这样阳极喷嘴喷出的等离子体喷射扩展到沉积腔室时会有大量活性的离子或中性原子存在，而且低压的沉积腔室可以有效的避免不同活性粒子之间的复合。由于实现了样品和等离子体源的分离，可以降低等离子体中离子对薄膜的溅射和损伤，实现高速的沉积率，达到20nm/s (普通的射频等离子体源沉积速率是30nm/min)。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于沉积非晶硅薄膜的真空设备，已解决现有技术中薄膜沉积率不高问题。为达到上述目的，本真空设备采用的解决方案是真空泵组通过真空管道和沉积腔室相连，以保证沉积薄膜时所需的真空环境。沉积腔室通过螺栓固定在支本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积非晶硅薄膜的真空设备，包括水冷腔室和沉积腔室，其特征在于：还包括真空泵组（1），真空泵组（1）通过真空管道（10）和沉积腔室（8）相连；沉积腔室（8）通过螺栓固定在支撑平台（7）上；在沉积腔室（8）的侧面对称地设置有样品门（2）和观测窗（201）；水冷腔室（3）设置在沉积腔室（8）的外部；ETP等离子体源(4)安装于沉积腔室（8）的正上方中心轴线上，特气喷嘴（9）与真空沉积腔室（8）连接；加热系统（5）和样品台（6）置于腔室底部中心。

【技术特征摘要】
1.一种沉积非晶硅薄膜的真空设备，包括水冷腔室和沉积腔室，其特征在于还包括真空泵组(I )，真空泵组(I)通过真空管道(10)和沉积腔室(8)相连；沉积腔室(8)通过螺栓固定在支撑平台(7)上；在沉积腔室(8)的侧面对称地设...

【专利技术属性】
技术研发人员：芶富均，
申请(专利权)人：成都达信成科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：