【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种实现真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置，用于纳米光栅沉积基片的制作及研究领域。
技术介绍
利用激光驻波场汇聚中性原子束沉积制作纳米光栅技术是纳米领域内的一个研究热点，该技术的基本原理是真空环境下利用特定空间分布激光驻波场的辐射压力控制原子的运动，使原子束的空间密度产生相应的分布，继而直接沉积在基板上，从而形成纳米光栅结构。在实际的实验操作过程中，由于沉积基片处于真空容器内，对于真空容器内沉积·基片的移动、更换等操作非常不方便。每次移动沉积基片的位置或更换沉积基片，均需打开真空容器进行调整或更换，而后再重新进行抽真空，由于每次抽真空的时间较长，大大延长了实验周期。对于纳米光栅真空容器内沉积基片的位置操控和更换，国内外相关研究小组在该方面的分析和研究较少，相关方法和成果很少见诸报导。只有少数研究小组进行机械手装置操控容器内基片方法的研究，如意大利比萨大学Fuso教授研究小组对铯原子真空容器内的纳米光栅沉积进行了相关研究，采用容器外的控制装置控制机械手对容器内的沉积基片进行更换，通过该方式，成功实现了真空容器外对容器内沉积基片的更换。但是由于机械手装...
【技术保护点】
一种真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置,？包括真空容器外的控制装置，其特征在于：包含电磁击打器（1）、位移发生器（2）、标准位移物件收集器（3）、传动机构和基片位移部件（5），电磁击打器（1）和标准位移物件收集器（3）分别置于位移发生器（2）的槽管通孔两侧，位移发生器（2）上的位移牵引器（202）伸出槽管外部分通过传动机构与基片位移部件（5）上的基片位移架（501）或者配重平衡块（502）连接，基片位移架（501）和配重平衡块（502）通过钢丝软线（4）、滑轮（503）相互连接。
【技术特征摘要】
1.一种真空容器内纳米光栅沉积基片位置操控装置，包括真空容器外的控制装置，其特征在于包含电磁击打器(I)、位移发生器(2)、标准位移物件收集器(3)、传动机构和基片位移部件(5 )，电磁击打器(I)和标准位移物件收集器(3 )分别置于位移发生器(2 )的槽管通孔两侧，位移发生器(2)上的位移牵引器(202)伸出槽管外部分通过传动机构与基片位移部件(5)上的基片位移架(501)或者配重平衡块(502)连接，基片位移架(501)和配重平衡块(502)通过钢丝软线(4)、滑轮(503)相互连接。2.根据权利要求I所述的装置，其特征在于所述的电磁击打器(I)由两个带通孔铁心的固定线圈(101)，置于固定线圈(101)之间的带线圈...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文涛，熊显名，朱保华，朱志斌，胡放荣，蒋曲博，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：实用新型
国别省市：
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