一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法技术

本发明专利技术公开一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，包括：对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力80mTorr，时间为4分钟；对硅片进行预处理，温度420℃，一氧化二氮流量为3.8~5.2slm，压力为1700mTorr，预处理3分钟；压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.2~0.5分钟；预沉积，温度为420℃，氨气流量为0.1?~0.9slm，硅烷流量为180?~200sccm，一氧化二氮流量为3.5~5.1slm，压力为1000mTorr，射频功率4300瓦，持续时间0.3~0.5分钟；沉积，温度为450℃，氨气流量为2000~2200sccm，硅烷流量为7000~8500sccm，一氧化二氮流量为2~3.4slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3~5分钟；氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6~12slm，压力为10000mTorr，吹扫时间5~8分钟。本发明专利技术制备的减反射膜具有抗PID效应，因此，光伏组件的抗衰减能力大幅提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池的生产加工
，更具体地说，是一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法。
技术介绍
太阳能电池片是一种能量转换的光电元件，它可以在太阳光的照射下，把光能转换为电能，实现光伏发电。在太阳能娃片的表层沉积一层减反射膜，以降低娃片表面对光的发射，从而有效改善电池的光电转化效率，同时，减反射膜还能对太阳能电池起到表面钝化和体钝化的作用，因此，在选择减反射膜材料时应综合考虑这两方面的问题，适于作晶体硅太阳电池光学减反射膜的材料有氮化硅、氮氧化硅等薄膜材料。目前，主要采用PEV⑶生长减反射膜。PEV⑶技术原理是利用低温等离子体作为能 量源，利用高频电源及低压条件产生辉光放电，并使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经过辉光发电作用后受激发产生等离子，依靠电场作用在样品表面形成固态薄膜。目前的太阳能电池生产中，一般以氨气和硅烷作为反应气体，反应之后形成深蓝色的薄膜，其中的氮化硅起减反射作用，而氢可以起到体钝化的作用。PEVCD法镀膜对温度、真空度均有较高要求，由于是几种不同气体参加等离子反应，反应生成物复杂，并且由于反应气体常为有毒、易燃易爆气体，存在安全隐患。电站实际运行中产生PID效应，PID效应是一种高强度负电压诱发的组件性能降低现象，严重时甚至可引起组件功率衰减50%以上，从而导致整个电站的功率输出下降，继而严重损害投资者的利益。
技术实现思路
本专利技术为了克服现有技术存在的问题，提供一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现—种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，其特征在于包括下面的步骤(I)对炉管抽真空，保持炉内温度420°C，压力80mTorr，时间为4分钟；(2)对硅片进行预处理，温度420°C，一氧化二氮流量为3.8 5.2slm，压力为1700mTorr,预处理3分钟；(3)压力测试,保证设备内部压力50mTorr恒定,保持O. 2^0. 5分钟；(4)预沉积，温度为420°C，氨气流量为O. I 0.9slm，硅烷流量为180 200sccm，一氧化二氮流量为3. 5 5. Islm，压力为IOOOmTorr,射频功率4300瓦，持续时间O. 3 O. 5分钟；(5)沉积，温度为450°C，氨气流量为200(T2200sccm，硅烷流量为700(T8500sccm，一氧化二氮流量为2 3. 4slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3 5分钟；(6)氮气吹扫冷却，温度为420°C，氮气流量为6 12slm，压力为10000 mTorr，吹扫时间5 8分钟。步骤(2)中一氧化二氮流量为4. 4slm。步骤(4)中氨气为O. 5slm,娃烧为200sccm,—氧化二氮4. lslm。步骤(5)中氨气流量为2100sccm，硅烷流量为7500sccm，一氧化二氮流量为2. 4slm。 步骤(6)中氮气流量IOslm,吹扫时间5分钟。本专利技术的有益效果本专利技术采用氨气、硅烷和一氧化二氮三种气体为反应气体，沉积在硅片上形成氮氧化硅减反射膜层，氮氧化硅膜层对硅片具有良好的钝化的性能及较高的折射率，有效阻碍硅基体与组件封装材料的电荷移动，该减反射膜具有抗PID效应。具体实施例方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步详细的说明。实施例I本专利技术提供一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，其特征在于包括下面的步骤(I)对炉管抽真空，保持炉内温度420°C，压力80mTorr，时间为4分钟；(2)对硅片进行预处理，温度420°C，一氧化二氮流量为4.4 slm，压力为1700mTorr,预处理3分钟；(3)压力测试,保证设备内部压力50mTorr恒定,保持O. 2^0. 5分钟；(4)预沉积，温度为420°C，氨气流量为O. 5slm，硅烷流量为200sCCm，一氧化二氮流量为4. Islm，压力为IOOOmTorr,射频功率4300瓦，持续时间O. 3 O. 5分钟；(5)沉积，温度为45CTC,氨气流量为2000sccm,娃烧流量为7500sccm, —氧化二氮流量为2slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3 5分钟；(6)氮气吹扫冷却，温度为420°C，氮气流量为lOslm，压力为IOOOOmTorr，吹扫时间5 8分钟。实施例2本专利技术提供一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，其特征在于包括下面的步骤(I)对炉管抽真空，保持炉内温度420°C，压力80mTorr，时间为4分钟；(2)对硅片进行预处理，温度420°C，一氧化二氮流量为3.8 slm，压力为1700mTorr,预处理3分钟；(3)压力测试,保证设备内部压力50mTorr恒定,保持0. 2^0. 5分钟；(4)预沉积，温度为420°C，氨气流量为0. lslm，硅烷流量为180 sccm，一氧化二氮流量为3. 5slm，压力为IOOOmTorr,射频功率4300瓦，持续时间O. 3 O. 5分钟；(5)沉积,温度为450°C,氨气流量为2200sccm,娃烧流量为7200sccm,—氧化二氮流量为2. 4slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3 5分钟；(6)氮气吹扫冷却，温度为420°C，氮气流量为8slm，压力为IOOOOmTorr,吹扫时间5^8分钟。实施例3本专利技术提供一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，其特征在于包括下面的步骤(I)对炉管抽真空，保持炉内温度420°C，压力80mTorr，时间为4分钟；(2)对硅片进行预处理，温度420 °C，一氧化二氮流量为4. 8slm，压力为1700mTorr,预处理3分钟；(3)压力测试,保证设备内部压力50mTorr恒定,保持O. 2^0. 5分钟；(4)预沉积，温度为420°C，氨气流量为O. 7slm，硅烷流量为200 sccm，一氧化二氮流量为4. 2slm，压力为IOOOmTorr,射频功率4300瓦，持续时间O. 3 O. 5分钟； (5)沉积,温度为450°C,氨气流量为2IOOsccm,娃烧流量为8000sccm,—氧化二氮流量为2. 9slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3 5分钟；(6)氮气吹扫冷却，温度为420°C，氮气流量为6slm，压力为IOOOOmTorr,吹扫时间5^8分钟。实施例4本专利技术提供一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，其特征在于包括下面的步骤(I)对炉管抽真空，保持炉内温度420°C，压力80mTorr，时间为4分钟；(2)对硅片进行预处理，温度420°C，一氧化二氮流量为5.2 slm，压力为1700mTorr,预处理3分钟；(3)压力测试,保证设备内部压力50mTorr恒定,保持0. 2^0. 5分钟；(4)预沉积，温度为420°C，氨气流量为O. 9slm，硅烷流量为190 sccm，一氧化二氮流量为5. Islm，压力为IOOOmTorr,射频功率4300瓦，持续时间O. 4分钟；(5)沉积，温度为450°C,氨气流量为2080sccm,娃烧流量为8500sccm, —氧化二氮流量为3. 4slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3 5分钟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，其特征在于包括下面的步骤：(1)对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力80mTorr，时间为4分钟；(2)对硅片进行预处理，温度420℃，一氧化二氮流量为3.8~5.2slm，压力为1700mTorr，预处理3分钟；(3)压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.2~0.5分钟；(4)预沉积，温度为420℃，氨气流量为0.1？~0.9slm，硅烷流量为180~200sccm，一氧化二氮流量为3.5~5.1slm，压力为1000mTorr，射频功率4300瓦，持续时间0.3~0.5分钟；(5)沉积，温度为450℃，氨气流量为2000~2200sccm，硅烷流量为7000~8500sccm，一氧化二氮流量为2~3.4slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3~5分钟；(6)氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6~12slm，压力为10000？mTorr，吹扫时间5~8分钟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仑，卢春辉，吴俊清，侯泽荣，王金伟，
申请(专利权)人：东方电气集团宜兴迈吉太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：