一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法技术

本发明专利技术公开一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，包括：对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力80mTorr，时间为4分钟；对硅片进行预处理，温度420℃，一氧化二氮流量为3.8~5.2slm，压力为1700mTorr，预处理3分钟；压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.2~0.5分钟；预沉积，温度为420℃，氨气流量为0.1?~0.9slm，硅烷流量为180?~200sccm，一氧化二氮流量为3.5~5.1slm，压力为1000mTorr，射频功率4300瓦，持续时间0.3~0.5分钟；沉积，温度为450℃，氨气流量为2000~2200sccm，硅烷流量为7000~8500sccm，一氧化二氮流量为2~3.4slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3~5分钟；氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6~12slm，压力为10000mTorr，吹扫时间5~8分钟。本发明专利技术制备的减反射膜具有抗PID效应，因此，光伏组件的抗衰减能力大幅提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池的生产加工
，更具体地说，是一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法。
技术介绍
太阳能电池片是一种能量转换的光电元件，它可以在太阳光的照射下，把光能转换为电能，实现光伏发电。在太阳能娃片的表层沉积一层减反射膜，以降低娃片表面对光的发射，从而有效改善电池的光电转化效率，同时，减反射膜还能对太阳能电池起到表面钝化和体钝化的作用，因此，在选择减反射膜材料时应综合考虑这两方面的问题，适于作晶体硅太阳电池光学减反射膜的材料有氮化硅、氮氧化硅等薄膜材料。目前，主要采用PEV⑶生长减反射膜。PEV⑶技术原理是利用低温等离子体作为能 量源，利用高频电源及低压条件产生辉光放电，并使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经过辉光发电作用后受激发产生等离子，依靠电场作用在样品表面形成固态薄膜。目前的太阳能电池生产中，一般以氨气和硅烷作为反应气体，反应之后形成深蓝色的薄膜，其中的氮化硅起减反射作用，而氢可以起到体钝化的作用。PEVCD法镀膜对温度、真空度均有较高要求，由于是几种不同气体参加等离子反应，反应生成物复杂，并且由于反应气体常为有毒、易燃易爆气体，存在安本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，其特征在于包括下面的步骤：(1)对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力80mTorr，时间为4分钟；(2)对硅片进行预处理，温度420℃，一氧化二氮流量为3.8~5.2slm，压力为1700mTorr，预处理3分钟；(3)压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.2~0.5分钟；(4)预沉积，温度为420℃，氨气流量为0.1？~0.9slm，硅烷流量为180~200sccm，一氧化二氮流量为3.5~5.1slm，压力为1000mTorr，射频功率4300瓦，持续时间0.3~0.5分钟；(5)沉积，温度为450℃，氨气流量为2000~220...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仑，卢春辉，吴俊清，侯泽荣，王金伟，
申请(专利权)人：东方电气集团宜兴迈吉太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：