一种二级反射器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种二级反射器，包括两个绝缘套筒和两个反射电极，其中一个所述反射电极组装在一个所述绝缘套筒的一端，另一个所述反射电极组装在所述两个绝缘套筒之间；每个所述绝缘套筒的内壁上设置有电极阵列，每个所述绝缘套筒上在其电极的引出位置处设置有电极引出孔，每个所述绝缘套筒上的电极通过电极引出孔引出至所述绝缘套筒的外侧。其结构简单，电极之间平行度好，组装方便，提高了工作效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种二级反射器
本技术涉及反射器
，尤其涉及一种二级反射器。
技术介绍
二级反射器作为一个基本部件被广泛应用于飞行时间质谱仪。反射器首先由Mamyrin提出，后经WiIey和McLaren的改进而在工业界中得以推广及运用。其主要目的在于利用有限的空间通过电场的调节加长离子的飞行距离。与此同时，反射器还可以补偿具有能量分布的同一种离子的飞行时间差，使该种离子能够在同一时刻到达探测器从而提高仪器的分辨率。目前的二级反射器都存在机械加工的要求很高，组装复杂，重量重，一旦损坏难以修复等缺点。有鉴于此，提供一种结构简单易于生产的二级反射器成为必要。
技术实现思路
本技术的专利技术目的是提供一种结构简单易于生产的二级反射器。为了实现上述目的，本技术提供的一种二级反射器，包括两个绝缘套筒和两个反射电极，其中一个所述反射电极组装在一个所述绝缘套筒的一端，另一个所述反射电极组装在所述两个绝缘套筒之间；每个所述绝缘套筒的内壁上设置有电极阵列，每个所述绝缘套筒上在其电极的引出位置处设置有电极引出孔，每个所述绝缘套筒上的电极通过电极引出孔引出至所述绝缘套筒的外侧。进一步地，所述电极为环状电极。进一步地，所述电极阵列中包括多个均匀间隔相互平行地设置在所述绝缘套筒的内壁上的环状电极。进一步地，所述电极引出孔侧壁上设置有金属覆盖层。进一步地，所述反射电极设置有平整电极栅网结构。进一步地，所述平整电极栅网结构中每两个相邻的电极之间相互平行。本技术提供的一种二级反射器，采用绝缘套筒与反射电极组装结构，大大减少了零部件数量，降低了组装的难度和零部件的加工成本；其绝缘套筒由石英玻璃管制成，其可精密加工性好于不锈钢，并且采用光刻工艺，各电极的形状和相对位置具有很高的精度。其反射电极有具有应力的氮化硅网格支撑，金属栅网可以有很高的平整度，且各电极栅网间有很高的平行度；该二级反射器的电极的制作采用MEMS技术，重复性好，利于批量生产，其电极的图形化采用光刻/腐蚀技术批量制作，在保证质量的同时，提高了生产效率。该二级反射器结构简单，电极之间平行度好，组装方便，提高了工作效率。【附图说明】图1为本技术提供的一种二级反射器从绝缘套筒端看的结构示意图；图2为本技术提供的一种二级反射器从反射电极端看的结构示意图；图3为反射电极的结构示意图；图4为本技术提供的一种二级反射器的整体结构示意图；图5为图4所示的一种二级反射器的剖视图。【具体实施方式】下面结合附图详细说明本技术，其作为本说明书的一部分，通过实施例来说明本技术的原理，本技术的其他方面，特征及其优点通过该详细说明将会变得一目了然。如图1-5所示，本技术提供的一种二级反射器100，包括两个绝缘套筒I和两个反射电极2,其中一个反射电极2组装在一个绝缘套筒I的一端，另一个反射电极2组装在两个绝缘套筒I之间；每个绝缘套筒I的内壁上设置有电极阵列，每个绝缘套筒I上在其电极11的引出位置处设置有电极引出孔12，每个绝缘套筒I上的电极11通过电极引出孔12引出至绝缘套筒I的外侧。本技术提供的一种二级反射器100，包括两个绝缘套筒2和两个反射电极2，绝缘套筒I的内壁上设置有互相平行的圆环电极11，其一侧设置有通过超声打的电极引出孔12 ;反射电极2将采用标准的MEMS加工工艺制作。绝缘套筒I的制作:首先进行坯料加工:由于二级反射器100需要由两个绝缘套筒I和两个反射电极2组装而成，该绝缘套筒I由具有低热膨胀系数的材料构成，如熔融石英玻璃，玻璃或陶瓷。各端面需要很好的平行度以保证绝缘套筒I内壁的金属电极11和反射电极2内的各电极栅网结构21保持平行，以得到最佳的工作效果。绝缘套筒I内壁应保持光滑，内径均匀性好。为达到以上要求，绝缘套筒I采用石英玻璃管，玻璃材料的可精密加工性好于不锈钢。并对石英玻璃管进行内壁和端面的研磨和抛光，然后在金属电极11的引出位置，打出电极引出孔12。该绝缘套筒的打孔方法可为超声打孔，激光打孔，激光水刀打孔方法及其组合。该制作好的绝缘套筒I坯料需彻底清洗，去除油污和杂质。例如，将该绝缘套筒I放在加热的氨水，双氧水和去离子水中浸泡，然后在加热的稀盐酸，双氧水和去离子水浸泡，足后用去离子水冲洗干净。上述电极阵列中包括多个均匀间隔相互平行地设置在绝缘套筒I的内壁上的环状电极11，这样可以更好地实现其性能。其内壁圆环电极11的制作方法是先淀积金属薄膜，再用光刻/化学腐蚀的方法制作互相平行的金属圆环电极11。内壁金属圆环电极11的制作如下:将上述绝缘套筒1、电阻丝和待蒸发的金属放置在一个真空腔内；加热该电阻丝，使得待蒸发的金属熔化蒸发，金属蒸汽到达绝缘套筒I内壁后淀积成膜；在所述绝缘套筒I的内壁喷涂一层光刻胶，并将其烘干；使用曝光系统将需要曝光的光刻胶曝光；将光刻胶显影，制作出电极图形，并保留被光刻胶覆盖的金属，移出未被光刻胶覆盖的金属；将光刻完毕后的绝缘套筒I内放入腐蚀液腐蚀金属，制作出环状电极11 ;将绝缘套筒I内表面的光刻胶除去；完成内壁圆环电极11的制作。内壁电极的制作方法，是先淀积金属薄膜，再用光刻/化学腐蚀的方法制作互相平行的金属圆环电极11。该电极引出孔12侧壁上设置有金属覆盖层。其既提高了电极引出孔12的导电能力，为金属圆环电极11的引出打好基础。金属覆盖层的淀积:由于内壁金属圆环电极11需要耐腐蚀，抗氧化，因此金是一个不错的选择，但金与石英玻璃的内壁的粘附性不好，需要用铬做粘附层。金和铬采用热蒸发的方法制作金属薄膜。将绝缘套筒1，待蒸发的金属和电阻丝被放置在一个真空腔内，电阻丝通电加热后会使待蒸发的金属熔化，蒸发，金属蒸汽到达绝缘套筒I内壁后冷却淀积成膜。该绝缘套筒I内壁后淀积成的金属薄膜为一种金属或多种金属的组合。较佳地，金属薄膜为金和铬。在金属蒸发时，可上下移动所述绝缘套筒1，以使其小孔侧壁上也有良好的金属覆盖，既提高小孔能导电能力，为金属圆环电极11的引出打好基础。反射电极2将采用标准的MEMS加工工艺制作，其设置有平整电极栅网结构21。该平整电极栅网结构21中每两个相邻的单个电极相互平行，提高了反射电极2的整体平整度。反射电极2采用标准的MEMS加工工艺制作。先制作一张具有应力的氮化硅网格，再在氮化硅网格两侧淀积金属，以达到制作大面积的平整电极栅网结构。首先选择高平整度的硅片。该硅片的厚度均匀性可小于I微米。硅片大小由绝缘套筒I的直径决定。一般硅片的直径稍大于绝缘套筒I的外径。将硅片双面淀积低应力氮化硅薄膜。对氮化硅薄膜进行图形化。其一面制作栅网结构，另一面制作硅腐蚀的窗口。之后将硅片放入氢氧化钾(KOH)中腐蚀，直至氮化硅电极栅网结构21完全悬空。硅片清洗后，在氮化硅电极栅网结构21上淀积金属薄膜，该金属薄膜一般为铬金。在氮化硅电极栅网结构21背面淀积金属薄膜时，需要使用遮挡物以避免硅片框架的背面也被淀积上金属薄膜。本技术提供的一种二级反射器，采用绝缘套筒与反射电极组装结构，大大减少了零部件数量，降低了组装的难度和零部件的加工成本；其绝缘套筒由石英玻璃管制成，其可精密加工性好于不锈钢，并且采用光刻工艺，各电极的形状和相对位置具有很高的精度。其反射电极有具有应力的氮化硅网格支撑，金属栅网可以有很高的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二级反射器，其特征在于：包括两个绝缘套筒和两个反射电极，其中一个所述反射电极组装在一个所述绝缘套筒的一端，另一个所述反射电极组装在所述两个绝缘套筒之间；每个所述绝缘套筒的内壁上设置有电极阵列，每个所述绝缘套筒上在其电极的引出位置处设置有电极引出孔，每个所述绝缘套筒上的电极通过电极引出孔引出至所述绝缘套筒的外侧。

【技术特征摘要】
1.一种二级反射器，其特征在于:包括两个绝缘套筒和两个反射电极，其中一个所述反射电极组装在一个所述绝缘套筒的一端，另一个所述反射电极组装在所述两个绝缘套筒之间； 每个所述绝缘套筒的内壁上设置有电极阵列，每个所述绝缘套筒上在其电极的引出位置处设置有电极引出孔，每个所述绝缘套筒上的电极通过电极引出孔引出至所述绝缘套筒的外侧。2.根据权利要求1所述的一种二级反射器，其特征在于:所述电极为环状电极。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：林沁，杨忠钰，施林伟，李维，邓江东，
申请(专利权)人：深圳市盛喜路科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44