离子导引装置和离子导引方法制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种离子导引装置和离子导引方法。本发明专利技术的离子导引装置包括：多个环形组件，多个环形组件沿同一中心轴线并排分布，其中每个环形组件由多个分立的分段电极围成；电源装置，其将相位相异的射频电压提供至每个环形组件的相邻的分段电极上，将相位相异的射频电压提供至沿中心轴线的相邻的分段电极上，且将直流电位提供至每个环形组件的分段电极上，其中，直流电位的分布使离子在沿中心轴线方向运动时发生朝向所述离子导引装置径向的偏转。这种离子导引装置和方法可以实现一定真空度下的离子传输和聚焦，特别是可以实现离子的偏轴传输以降低中性成分噪音。

【技术实现步骤摘要】
离子导引装置和离子导引方法
本专利技术涉及一种离子导引装置，特别是一种在较高气压(或较低真空度)下导引离子偏轴传输、聚焦并进入后级进行质谱分析的装置。
技术介绍
在质谱仪中，从较高气压的离子源区(1～105Pa)到较低气压的离子分析器区域(<1Pa)之间，除了必要的真空接口外，为了实现离子的低损失传输，通常需要离子导引装置。离子导引装置一般由一系列施加射频电压的电极组成。射频电压在装置的中心轴周围形成束缚离子的有效势垒，使得离子会聚。同时在由于差分抽气造成的气流流动作用，或者沿轴附加的直流电场作用下，会聚的离子定向移动到下一级真空，然后通过质谱分析装置被分析。较早的射频导引装置比如D.J.Douglas专利技术的的多极导引杆系(美国专利5179278)，以及J.Franzen提出的表面反射型多极场导引装置(美国专利5572035),可以在0.1torr下聚焦离子，后来N.Inatsugu和H.Waki专利技术的Q-阵列导引器，以及Bateman等提出的(美国专利7095013)行波导引装置等，可以在5torr以下的气压下对离子进行较好的导引和聚焦。为了可以在更高的气压下聚焦离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子导引装置，其特征在于，包括：多个环形组件，所述多个环形组件沿同一中心轴线并排分布，其中每个环形组件由多个分立的分段电极围成；电源装置，其将相位相异的射频电压提供至所述每个环形组件的相邻的分段电极上，将相位相异的射频电压提供至沿所述中心轴线的相邻的分段电极上，且将直流电位提供至所述每个环形组件的分段电极上，其中，所述直流电位的分布使离子在沿所述中心轴线方向运动时发生朝向所述离子导引装置径向的偏转。

【技术特征摘要】
1.一种离子导引装置，其特征在于，包括：多个环形组件，所述多个环形组件沿同一中心轴线并排分布，其中每个环形组件由多个分立的分段电极围成；电源装置，其将相位相异的射频电压提供至所述每个环形组件的相邻的分段电极上，将相位相异的射频电压提供至沿所述中心轴线的相邻的分段电极上，且将直流电位提供至所述每个环形组件的分段电极上，其中，所述直流电位的分布使离子在沿所述中心轴线方向运动时发生朝向所述离子导引装置径向的偏转，在所述多个环形组件的至少一部分环形组件中，组成同一环形组件的多个分段电极的长度比例沿所述中心轴线变化。2.根据权利要求1所述的离子导引装置，其特征在于，所述电源装置对所述多个环形组件的至少一部分环形组件的每个环形组件的相邻的分段电极，或者对所述多个环形组件的至少一部分环形组件的沿所述中心轴线的相邻的分段电极施加幅值、频率和占空比这三个参数中的至少一个为不同的射频电压，以使得离子沿所述中心轴线方向运动时发生朝向所述离子导引装置径向的偏转；且所述电源装置对所述每个环形组件的分段电极施加相同的直流电位。3.根据权利要求1所述的离子导引装置，其特征在于，对沿所述中心轴线的相邻的环形组件上的分段电极叠加行波形式的直流电位。4.根据权利要求1所述的离子导引装置，其特征在于，所述多个环形组件的至少一部分环形组件的径向尺寸沿所述中心轴线依次减小或者增大。5.根据权利要求1所述的离子导引装置，其特征在于，所述多个环形组件的分段电极之间具有缺口，所述多个环形组件上的所述缺口连成的分割线为非直线。6.根据权利要求1所述的离子导引装置，其特征在于，所述中心轴线为非直线。7.根据权利要求1所述的离子导引装置，其特征在于，所述多个环形组件的至少一部分环形组件由2个分段电极组成。8.根据权利要求1所述的离子导引装置，其特征在于，所述多个环形组件的至少一部分环形组件的形状为圆环。9.根据权利要求1所述的离子导引装置，其特征在于，所述多个环形组件的至少一部分环形组件由多边形组件代替。10.根据权利要求1所述的离子导引装置，其特征在于，所述离子导引装置在与沿所述中心轴线的平行的方向进一步具有离子引出装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小强，孙文剑，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：