感应耦合等离子体装置、分光分析装置以及质量分析装置制造方法及图纸

提供感应耦合等离子体装置、分光分析装置以及质量分析装置。感应耦合等离子体装置大幅降低等离子气体的消耗量。作为解决手段，该感应耦合等离子体装置具有：圆筒形状的罩，其与等离子体炬是分离的，具有足够包围到生成等离子体火焰的前端部的高度，该罩外嵌地配置在等离子体炬上；以及校正气体导入机构，其将用于校正等离子气体的流路的校正气体导入到在罩的内表面和等离子体炬的外管的外表面之间形成的间隙部。

【技术实现步骤摘要】
感应耦合等离子体装置、分光分析装置以及质量分析装置
本专利技术主要涉及作为激励源或者离子源来使用的感应耦合等离子体(以下，称作ICP)装置，尤其是涉及大幅降低等离子气体的使用量的ICP装置。
技术介绍
ICP装置被用作发射光谱分析的激励源或者以在等离子体中产生的离子为对象的质量分析装置的离子源。以往，该ICP装置具有由石英玻璃或者陶瓷制造的多重管结构构成的等离子体炬。图7示出了ICP发射光谱分析(ICP-OES)装置，示出了现有的ICP装置的用途的一例。等离子体炬32是同心的三重管结构，由中央的试样导入管321(将试样与载气一起导入到等离子体内)、在该试样导入管的外周具有的辅助气体管322(通过辅助气体管端部使等离子体上升)以及在该辅助气体管的外周具有的等离子气体管323构成。此外，在试样导入管321的上部被等离子气体管323包围的区域是被称作生成等离子体的等离子体室的部分。此外，在感应线圈312和等离子体用气体管323之间存在罩30。该罩30用于防止在感应线圈312和等离子气体之间发生的放电。因此，罩通常存在于感应线圈312围绕等离子体炬的区域。另一方面，ICP装置通常使用昂贵的氩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感应耦合等离子体装置，其特征在于，该感应耦合等离子体装置具有：导入试样的试样导入部，等离子体炬，其为由载气用的内管、辅助气体用的中间管以及等离子气体用的外管构成的同心的三重管结构，在一端部具有所述内管的气体导入部、所述中间管的气体导入部以及所述外管的气体导入部，另一端部为开口状态；圆筒形状的罩，其与所述等离子体炬是分离的，具有足够包围到生成的等离子体火焰的前端部的高度，且该罩外嵌地配置在所述等离子体炬上；感应线圈，其以包围所述等离子体火焰形成的、在所述等离子体炬的开口端附近的等离子体生成区域的方式，外嵌地配置在所述罩上；气体控制部，其控制所述载气、所述辅助气体以及所述等离子气体；以及校正气...

【技术特征摘要】
2012.06.27 JP 2012-1446041.一种感应耦合等离子体装置，其特征在于，该感应耦合等离子体装置具有：导入试样的试样导入部，等离子体炬，其为由载气用的内管、辅助气体用的中间管以及等离子气体用的外管构成的同心的三重管结构，在一端部具有所述内管的气体导入部、所述中间管的气体导入部以及所述外管的气体导入部，另一端部为开口状态；圆筒形状的罩，其与所述等离子体炬是分离的，具有足够包围到生成的等离子体火焰的前端部的高度，且该罩被配置成间隔开规定的距离地外嵌在所述等离子体炬上；感应线圈，其以包围所述等离子体火焰形成的、在所述等离子体炬的开口端附近的等离子体生成区域的方式，外嵌地配置在所述罩上；气体控制部，其控制所述载气、所述辅助气体以及所述等离子气体；以及校正气体导入机构，其将用于校正所述等离子气体的流路的校正气体导入到在所述罩的内表面和所述外管的外表面之间形成的间隙部，所述罩在被支撑在基底部上的开口端部的圆周上的一部分，具有连通其圆筒的内外部的槽，其中，所述基底部支撑固定所述罩，所述基底部在与所述罩的固定侧的圆筒端部相接的线上的一部分具有能够与所述槽吻合的凸部，该凸部成为配置时的基准。2.根据权利要求1所述的感应耦合等离子体装置，其中，所述校正气体导入机构具有喷出所述校正气体的毛细管，该毛细管的喷出侧端部配置为朝向所述罩的固定侧端部的所述间隙部。3.根据权利要求2所述的感应耦合等离子体装置，其中，所述罩在被支撑在基底部上的开口端部的圆周上的一部分，具有连通其圆筒的内外部的槽，其中，所述基底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：松泽修，赤松宪一，中野信男，一宫丰，田边英规，夏井克己，
申请(专利权)人：日本株式会社日立高新技术科学，
类型：发明
国别省市：