电感耦合型等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电感耦合型等离子体处理装置，包括反应腔室，所述反应腔室顶部具有绝缘盖板，所述绝缘盖板具有一开口；垂直设置于所述绝缘盖板上通过所述开口与所述反应腔室连通的绝缘套筒；卷绕于所述绝缘套筒上的第一电感耦合线圈，所述第一电感耦合线圈中通入射频电流以将引入所述反应腔室的工艺气体在所述绝缘套筒内和/或其下方激发为等离子体；以及设置于所述绝缘套筒中的第一冷却元件，其与所述等离子体接触的部分具有抗等离子体涂层，所述第一冷却元件中流通冷却介质以冷却所述等离子体。本发明专利技术能够降低等离子体温度，避免等离子体对基片表面损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工设备，特别涉及一种电感耦合型等离子体处理装置。
技术介绍
当前，电感耦合型等离子体处理装置作为在半导体晶片上执行成膜、刻蚀等多种工艺的装置，广泛应用于半导体器件制造的
中。图1示出现有技术的一种电感耦合型等离子体处理装置的结构示意图，真空处理腔室10底部设有承载待处理基片的基座11，真空处理腔室10顶部具有绝缘盖板12。绝缘盖板12上垂直设置与处理腔室10连通的陶瓷套筒13，工艺气体可从陶瓷套筒顶部输入工艺腔室10。陶瓷套筒13外侧缠绕上电感耦合线圈14，电感线圈14通过匹配器与射频源连接。射频源向电感耦合线圈14提供射频交变电流在陶瓷套筒13内产生一个交变的感应磁场，将工艺气体激发形成等离子体。然而，这些等离子体轰击陶瓷套筒12内壁往往会产生大量的热量，对等离子体处理工艺产生负面效果。具体来说，一方面高温的等离子体进入处理腔室不利于与待处理基片的反应。例如，在进行去光刻胶工艺时，如果等离子体温度超过120°时，会造成基片表面的光刻胶烧焦、变色等损伤，进而影响后续图案转移等工艺步骤的进行，造成半导体器件制造的产品良率降低。另一方面，陶瓷套筒12在高温下也容易损坏，导致使用寿命的缩短，增加了工艺成本。因此，需要提供一种能够避免等离子体温度过高的等离子体处理装置以改善上述缺陷。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服现有技术的缺陷，以有效降低等离子体的温度，>避免对等离子体处理装置的部件及等离子体处理工艺造成损害。为达成上述目的，本专利技术提供一种电感耦合型等离子体处理装置，包括：反应腔室，所述反应腔室顶部具有绝缘盖板，所述绝缘盖板具有一开口；垂直设置于所述绝缘盖板上通过所述开口与所述反应腔室连通的绝缘套筒；卷绕于所述绝缘套筒上的第一电感耦合线圈，所述第一电感耦合线圈中通入射频电流以将引入所述反应腔室的工艺气体在所述绝缘套筒内和/或其下方激发为等离子体；以及设置于所述绝缘套筒中的第一冷却元件，其与所述等离子体接触的部分具有抗等离子体涂层，所述第一冷却元件中流通冷却介质以冷却所述等离子体。优选的，所述第一冷却元件为一冷却筒，其中嵌设有流通所述冷却介质的冷却通道，所述冷却通道的进口和出口均位于所述绝缘套筒外部。优选的，所述冷却通道在所述冷却筒中弯折一次或多次。优选的，所述冷却元件一端固定于所述绝缘套筒的顶部，所述冷却通道的进口和出口均从所述冷却元件的固定端伸出所述绝缘套筒的顶部。优选的，所述工艺气体通过所述绝缘套筒的顶部边缘处引入所述反应腔室。优选的，所述工艺气体通过位于所述反应腔室侧壁顶部的气体输入口引入所述反应腔室。优选的，所述绝缘盖板上设置嵌套于所述第一电感耦合线圈之外的第二电感耦合线圈，所述第二电感耦合线圈中通入射频电流以将引入所述反应腔室的工艺气体在所述绝缘盖板下方激发为等离子体。优选的，所述电感耦合型等离子体处理装置还包括第二冷却元件，所述第二冷却元件包括设置于所述绝缘套筒上方的风扇以及从所述风扇向下延伸并容纳所述绝缘套筒的风扇外罩，所述风扇外罩底部与所述绝缘盖板顶面具有间隔，所述风扇从所述绝缘套筒顶部吹入气体，用于冷却所述绝缘套筒及所述绝缘盖板。优选的，所述风扇外罩内设置导流叶片，所述导流叶片形成引导由所述风扇吹出的气体流动的导流路径，使所述气体沿所述导流路径流动以增加与所述绝缘套筒的接触。优选的，所述第一冷却元件包括金属主体部及位于所述金属主体部外表面、与所述等离子体接触的抗等离子体涂层。优选的，所述绝缘套筒材料为陶瓷介电材料或石英材料。本专利技术的有益效果在于通过在反应腔室上部缠绕有电感线圈的绝缘套筒中设置第一冷却元件，对绝缘套筒中的等离子体以及绝缘套筒本身予以降温，从而防止等离子体在工艺过程中对光刻胶的损伤，提高绝缘套筒的使用寿命。附图说明图1为现有技术中等离子体处理装置的结构示意图；图2为本专利技术一实施例的等离子体处理装置的结构示意图；图3为本专利技术一实施例的等离子体处理装置的第一冷却元件的结构示意图；图4为本专利技术另一实施例的等离子体处理装置的结构示意图；图5为本专利技术另一实施例的等离子体处理装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本专利技术的内容作进一步说明。当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本专利技术的保护范围内。图2显示了本专利技术一种实施方式提供的使用本专利技术气体导流环的等离子处理装置。应该理解，等离子体处理装置仅仅是示例性的，其可以包括更少或更多的组成元件，或该组成元件的安排可能与图2所示不同。等离子体处理装置包括反应腔室10和位于反应腔室10上方的绝缘盖板12。绝缘盖板12通常为陶瓷介电材料。反应腔室10内部下方设有放置待处理基片的基座11，基座11可连接射频偏置功率源(图中未示)，以便增加等离子体与基片碰撞的能量。反应腔室10底部与外置的排气装置如真空泵(图中未示)相连接，用以在处理过程中将用过的反应气体及副产品气体抽出反应腔室10。绝缘盖板12上垂直设置有绝缘套筒13，绝缘套筒13通过绝缘盖板12中的开口与反应腔室10连通。绝缘套筒13的材料一般为陶瓷介电材料或石英材料。绝缘套筒13中可设有进气通道，用于引入等离子体处理所需的工艺气体，本实施例中进气口设置于绝缘套筒顶部边缘处。绝缘套筒13内保持与反应腔室10内相同的真空环境。绝缘套筒13外侧壁上卷绕电感耦合线圈14，该电感耦合线圈14可通过匹配器(图中未示)与射频功率源(图中未示)，射频功率源提供射频电流至电感耦合线圈14而使线圈14感应出射频电场，将绝缘套筒内的反应气体激发形成等离子体，绝缘套筒选择耐等离子体腐蚀且容许射频功率穿透的材料。所述等离子体进入反应腔室10与待处理基片反应，以进行刻蚀或淀积等等离子体处理工艺。为了避免所产生的等离子体温度过高，本专利技术在绝缘套筒13中设置一内部流通冷却介质的第一冷却元件15，起到有效控制或者降低等离子体的温度和绝缘套筒温度的目的。其中，第一冷却元件15与等离子体接触的表面具有抗等离子体涂层，或其本身由抗等离子体材料制成，以防止被等离子体轰击损坏。在一具体实施例中，该抗等离子体涂层由第一冷却元件15的表面经表面氧化处理形成，在另一具体实施例中，抗等离子体涂层为的材料为Y2O3或YF3。请继续参考图3，其所示为本专利技术一实施例的第一冷却元件的结构示意图。第一冷却元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，包括：反应腔室，所述反应腔室顶部具有绝缘盖板，所述绝缘盖板具有一开口；垂直设置于所述绝缘盖板上通过所述开口与所述反应腔室连通的绝缘套筒；卷绕于所述绝缘套筒上的第一电感耦合线圈，所述第一电感耦合线圈中通入射频电流以将引入所述反应腔室的工艺气体在所述绝缘套筒内和/或其下方激发为等离子体；以及设置于所述绝缘套筒中的第一冷却元件，其与所述等离子体接触的部分具有抗等离子体涂层，所述第一冷却元件中流通冷却介质以冷却所述等离子体。

【技术特征摘要】
1.一种电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，包括：
反应腔室，所述反应腔室顶部具有绝缘盖板，所述绝缘盖板具有一开口；
垂直设置于所述绝缘盖板上通过所述开口与所述反应腔室连通的绝缘套筒；
卷绕于所述绝缘套筒上的第一电感耦合线圈，所述第一电感耦合线圈中通
入射频电流以将引入所述反应腔室的工艺气体在所述绝缘套筒内和/或其下方
激发为等离子体；以及
设置于所述绝缘套筒中的第一冷却元件，其与所述等离子体接触的部分具
有抗等离子体涂层，所述第一冷却元件中流通冷却介质以冷却所述等离子体。
2.根据权利要求1所述的电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，所
述第一冷却元件为一冷却筒，其中嵌设有流通所述冷却介质的冷却通道，所述
冷却通道的进口和出口均位于所述绝缘套筒外部。
3.根据权利要求2所述的电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，所
述冷却通道在所述冷却筒中弯折一次或多次。
4.根据权利要求3所述的电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，所
述冷却元件一端固定于所述绝缘套筒的顶部，所述冷却通道的进口和出口均从
所述冷却元件的固定端伸出所述绝缘套筒的顶部。
5.根据权利要求1所述的电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，所
述工艺气体通过所述绝缘套筒的顶部边缘处引入所述反应腔室。
6.根据权利要求1所述的电感耦合型等离子体处理装...

【专利技术属性】
技术研发人员：周旭升，吴狄，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31