一种双等离子体离子源及设备制造技术

技术编号:9508266 阅读:88 留言:0更新日期:2013-12-26 22:53
本实用新型专利技术公开了一种双等离子体离子源及设备,该双等离子体离子源的中间电极的锥形的一端的顶部设有多个中间电极孔,该多个中间电极孔的半径位于0.2mm-0.3mm范围内,其圆心位于以该中间电极的锥形的一端的顶部中心为圆心、半径为0.5mm的圆上。采用本实用新型专利技术提供的方案,能够提高产生的离子束的亮度。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双等离子体离子源,其特征在于,所述双等离子体离子源的中间电极的锥形的一端的顶部设有多个中间电极孔,所述多个中间电极孔的半径位于0.2mm?0.3mm范围内,其圆心位于以所述中间电极的锥形的一端的顶部中心为圆心、半径为0.5mm的圆上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:龙涛曾小辉王培智包泽民陶强范润龙
申请(专利权)人:中国地质科学院地质研究所
类型:实用新型
国别省市:

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