介电质基板的等离子体浸没离子植入的控制装置制造方法及图纸

一种介电质基板的等离子体浸没离子植入的控制装置，包括配置在等离子体处理室中所产生的等离子体上方的电极。利用电位高于用以接收离子植入的基板或阴极的电位的负电压脉冲而对该电极施予偏压。电极的电位较低，以便对由该电极产生的当作二次电子的电子给予足够的能量来克服基板周围的高电压鞘层的负电压而使电子到达基板。这些电子将加速朝向基板以便中和基板上的电荷聚集。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种等离子体处理系统(plasma processing systems),尤其涉及一种改善及调节用于等离子体浸没离子植入(plasma immersionion implantation,PHI)的绝缘目标基板(insulating target substrates)的电压稱合的装置及方法。
技术介绍
等离子体(plasmas)以多种方式使用于将各种掺杂物(dopants)植入晶圆(wafers)或基板(substrates)的半导体制程(semiconductor processing)中，以便沉积(deposit)或蚀刻(etch)薄膜(thin films)。此种制程包含目标基板表面上或表面之下的离子(ions)的定向沉积(directional deposition)或掺杂。其他的制程包括等离子体 蚀刻，其中蚀刻物种的定向性(directionality)决定要蚀刻的沟槽(trenches)的品质。通常，等离子体浸没离子植入(亦称为等离子体掺杂(plasma doping, PLAD))将掺杂物植入基板。藉由供应能量给导入处理室(chamber)中的中性气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：提摩太·J·米勒，维克拉姆·辛，卢多维克·葛特，克里斯多夫·J·里维特，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：
国别省市：