【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及刻蚀
，尤其涉及。
技术介绍
刻蚀是半导体制造工艺、微电子IC(Integrate ci rcuit,集成电路)制造工艺中的一个重要步骤，是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺，包括干法刻蚀和湿法刻蚀。其中，干法刻蚀是用气体辉光放电产生等离子体进行薄膜移除的技术，图I示出了现有的干法刻蚀装置的剖面结构图，主要包括反应室12，设置于反应室12中的上电极板13和下电极板15。上电极板13上具有通气孔17，用于向反应室12内通入气体。下电极板 15上设有放置基片的基台16。源极功率发生器11与上电极板13电连接，用于提供源极功率，以激发反应室12内的气体产生等离子体。偏置功率发生器14与下电极板15电连接，用于提供偏置功率，以在下电极板15与上电极板13之间形成电势差，从而促使等离子体向下运动，对基片进行刻蚀。在使用上述干法刻蚀装置的过程中，经常会出现反应室内等离子体的密度分布不均匀，这会使反应室中不同位置的刻蚀速率不同，尤其是反应室中间的刻蚀速率与反应室边缘的刻蚀速率之间的差异较大。这种刻蚀速率之间的差异会带来一系列的不利后果。尤其是在进行沟道...
【技术保护点】
一种干法刻蚀均匀性优化的装置，包括反应室，设置于所述反应室中的上电极板和下电极板，其特征在于，还包括：等离子体密度检测装置，设置于所述反应室的中心和边缘处，用于检测所述反应室的中心和边缘处的等离子体密度；控制装置，用于获取所述等离子体密度检测装置检测的所述反应室中心和边缘处的等离子体的密度，并在所述中心处的等离子体密度不等于所述边缘处的等离子体密度时，直接调整所述反应室的参数，以使所述中心处的等离子体密度等于所述边缘处的等离子体密度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范昭奇，段献学，周伯柱，王一军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。