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本发明提供了一种干法刻蚀均匀性优化装置及方法，涉及刻蚀技术领域，解决了现有技术在基片批量刻蚀前需要生成大量测试图形，导致刻蚀成本高的问题。该干法刻蚀均匀性优化的装置包括：反应室，设置于反应室中的上电极板和下电极板，该装置还包括：等离子体密度...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司授权不得商用。