【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子源
，尤其涉及一种带离子阱的脉冲式辉光放电离子源。
技术介绍
离子迁移谱仪中最关键的技术之一就是离子源，离子源的作用是用来产生离子，而离子流的强度又是由离子的引出方式决定的，因此，离子源技术包括离子的有效产生和离子的有效引出两个主要部分。中国专利申请号201120221033.0，专利技术名称为离子源，其公开了一种双针式辉光放电离子源，该离子源的工作方式为连续放电式等离子源。该离子源用电场将目标离子引出，其离子引出率虽然比放射性离子源离子引出率高，但是，由于该离子源没有离子阱，离子源管壁会产生离子附着，使得离子损失较大。同时，由于没有离子阱，引出的离子流强度可调性差。美国专利公开号US2008/0093549A1,美国专利号 US5200614，US5491337，US6124592中公开的离子源都是放射性离子源，都用双网状电极作为离子阱。如图I所示，电极11和电极12形成的A区就是离子阱区，电极11、电极12、电极13、电极14、电极15和电极16为离子迁移区20的电极。放射性离子源17—般为Ni63。该离子源为放射性离子源，一方面存在...
【技术保护点】
一种带离子阱的脉冲式辉光放电离子源，其特征在于，包括：电源、能够产生离子的放电体C和离子引出电极B2，放电体C的高压端连接电源，低压端通过相互串联的限流电阻R1和高压开关S1接地，离子引出电极B2的一端通过分压电阻R3连接放电体C的高压端，另一端通过相互串联的分压电阻R2和高压开关S2接地，放电体C包括两个位置相对的正负放电电极和筒状可提供稳定的脉冲辉光放电区域的离子源电极筒B1，该正负放电电极通过开设在离子源电极筒侧壁上的开孔伸入到离子源电极筒内，并由离子源电极筒B1与离子引出电极B2构成离子阱以限制离子扩散。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘立秋，马军，张伟，颜毅坚，徐翔，张亦扬，
申请(专利权)人：武汉矽感科技有限公司，上海矽感信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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