具有减噪功能的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪制造技术

具有减噪功能的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪，该迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测单元，在迁移区内平行放置上基片和下基片，在上基片和下基片分别设置上迁移区电极和下迁移区电极，上迁移区电极与非对称波形射频电源和直流扫描补偿电源相连，检测单元由电流检测电极和电流检测偏转电极组成，分别放置在上基片和下基片上，其特征在于：在上迁移区电极周围增加一圈迁移区屏蔽电极，同时在电流检测电极周围增加一圈电流检测屏蔽电极，两圈屏蔽电极分别接地，上迁移区电极和迁移区屏蔽电极之间，以及电流检测电极和电流检测屏蔽电极之间用空气或者绝缘材料进行绝缘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对生化物质进行测定，属于现场分析检测领域，具体为一种在迁移区电极和电流检测电极周围分别增加一圈屏蔽电极并接地，降低信号检测噪声的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪。
技术介绍
高场非对称波形离子迁移谱(FAIMS,High-field Asymmetric Waveform IonMobilitySpectrometry),是于上世纪九十年代逐步发展起来的一种生化物质检测技术。它主要利用高电场下离子的迁移率会随电场强度的变化而不同的特性来分离检测不同种类的物质。它的基本原理如下在低电场条件下，离子的迁移率系数与电场强度无关；当电场强度高到一定值(Ε/NMOTd)以后，离子的迁移率系数K就会以一种非线性的方式随电场强度而变化。离子在高场下的迁移率与电场强度的关系可用如下式子表示K=K0其中K为离子在高电场下的迁移率，Ktl为离子在低电场下的迁移率，E为电场强度，N为气体密度，Q1, a 2为离子迁移率分解系数。令a (Ε) = ，则K=K0 。当a (E) >0时，K>K0，则K随E增大而增大;当a (E)〈O时，K〈K0，则K随着E的增大而减小；当a (E)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有减噪功能的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪，所述的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪包括离子源（2）、迁移区（3）和检测单元（10）；在迁移区（3）内平行放置上基片（4）和下基片（5），在上基片（4）和下基片（5）上分别设置上迁移区电极（6）和下迁移区电极（7），上迁移区电极（6）分别与非对称波形射频电源（9）和直流扫描补偿电源（8）相连；所述的检测单元由电流检测电极（12）和电流检测偏转电极（11）组成，电流检测电极（12）放置在上基片（4）上，电流检测偏转电极（11）放置在下基片（5）上，其特征在于：在上迁移区电极（6）周围设置一圈迁移区屏蔽电极（13），在电流检测电极（12）周围设...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐飞，王晓浩，徐初隆，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：