一种用于提高传统离子迁移管灵敏度的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于提高传统离子迁移管灵敏度的方法，首先使得离子迁移管在离子门关闭时电离区的电压V1、第一离子门栅的电压V2以及第二离子门栅的电压V3满足如下公式：V1=V3>V2>>0，在开门瞬间，对电离区的电压V1施加一个同原先电压极性相同、幅度为ΔV1的脉冲，对第一离子门栅的电压V2也施加一个同原先电压极性相同、幅度为ΔV的脉冲，使得：(V1+ΔV1)>>(V2+ΔV)>V3>>0，由此在关门时，在电离区积累的离子，在电场力的作用下，瞬间进入迁移区进行迁移。利用该方法使得传统结构的离子迁移管在离子利用率上能提高5倍以上，对常见样品的极限探测灵敏度能提升5至10倍，大幅提高仪器的灵敏度性能指标。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种离子迁移管，具体涉及一种提高离子迁移管灵敏度的方法
技术介绍
离子迁移谱(MS)是20世纪60年代末出现的，经过几十年的发展已成为基于分子水平上较成熟的现场痕量检测技术。离子迁移谱仪中的核心部件为离子迁移管。在离子迁移管中，样品分子在离化源的作用下，可以产生相应产物离子。将这些产物离子放置在大气环境恒定电场中，它们因受电场的加速和中性大气分子的碰撞减速，在宏观上就表现为获得了一个恒定的平均速度。由于不同的产物离子其荷质比、空间几何构型和碰撞截面不同，因而获得的平均速度也不同，所以在经过一段电场以后他们就被分离，先后到达探测器从而完成被检测的过程。传统的离子迁移管结构如图I所示其主要由电离区I、迁移区2、探测器3组成。电离区I设置于迁移区2的起始端，并且两者之间设置有离子门4 ;探测器3设置在迁移区·2的末端。如图2所示，离子迁移管中的离子门4 一般由两个靠得很近的金属门栅41组成，这两个金属门栅之间相互绝缘。传统的离子迁移管的工作方式描述如下待测样品的微粒进入离化区，在离化源(通常为63Ni)的作用下通过质子夺取反应、电子附着反应、电子交换反应等生成相对稳定的产物离子。产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于提高传统离子迁移管灵敏度的方法，其特征在于，所述方法中首先使得离子迁移管在离子门关闭时电离区的电压V1、第一离子门栅的电压V2以及第二离子门栅的电压V3满足如下公式：V1=V3>V2>>0，其中，第二离子门栅的电压V3与第一离子门栅的电压V1之间的反向电场幅度在V~30V之间，并且第二离子门栅与电离区保持相等电位，使得电离区产生的离子能够充分达到饱和；在开门瞬间，对电离区的电压V1施加一个同原先电压极性相同、幅度为ΔV1的脉冲，对第一离子门栅的电压V2也施加一个同原先电压极性相同、幅度为ΔV的脉冲，使得：(V1+ΔV1)>>(V2+ΔV)>V3>>0，由此在关门时，在电离区积累的离子，...

【技术特征摘要】
1. 一种用于提高传统离子迁移管灵敏度的方法，其特征在于，所述方法中首先使得离子迁移管在离子门关闭时电离区的电压VI、第一离子门栅的电压V2以及第二离子门栅的电压V3满足如下公式V1=V3>V2 0, 其中，第二离子门栅的电压V3与第一离子门栅的电压Vl之间的反向电场幅度在疒30V之间，并且第二离子门栅与电离区保持相等电位，使...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁曦，陈勇，疏天民，金洁，
申请(专利权)人：公安部第三研究所，
类型：发明
国别省市：