【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子迁移率谱仪
，是一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样 方法及装置。
技术介绍
离子迁移率谱技术是利用气相离子在弱电场中迁移率的不同来检测物质的方法， 其原理与飞行时间质谱相似，主要的区别是离子迁移率谱技术中离子的分离是在大气压或 接近大气压的环境下进行。离子迁移率谱仪(IMS Ion mobility spectrometer)主要由漂 移管以及外围的气路系统、电路系统组成，其中漂移管包括离化区、离子门、离子漂移区以 及法拉第盘等。在利用离子迁移率谱仪进行检测时，被检测物质进入漂移管离化区，在离化 源作用下形成带电离子，然后通过离子门进入漂移区，漂移区的电场强度一般在102V/cm的 量级，具有特定迁移率的离子在电场作用下，经过一定时间后到达法拉第盘并给出离子电 流信号。由于各种物质离子的迁移速率互不相同，根据漂移时间的不同可以实现对样品的 分离和检测。离子迁移率谱仪在大气环境气压下工作，与质谱等分析仪器相比具有体积小、重 量轻、功耗小、携带方便等优点，同时还能保证非常低的检测下限(皮克量级)，主要用于痕 量化学战剂、毒品以及爆炸物的实时检...
【技术保护点】
一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法，其特征在于：包括步骤：a)在采样过程中，半透膜(21)处于室温；b)而在解吸过程中，用半透膜温控装置(22)或半透膜(21)自加热功能，将半透膜(21)加热至80℃～300℃。
【技术特征摘要】
1.一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法，其特征在于包括步骤 a)在采样过程中，半透膜(21)处于室温； b)而在解吸过程中，用半透膜温控装置(22)或半透膜(21) 自加热功能，将半透膜(21)加热至80°C 300°C。2.一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其特征在于包括采样部分(I)、半透膜进样部分(2)和解吸部分(3);采样部分(I)位于管路上游，后端与半透膜进样部分(2)前端固接，并连通，解吸部分(3)位于管路下游，前端与半透膜进样部分(2)后端固接，并连通；采样部分(I)的前端为采样口(11)，采样部分(I)管路侧面设有采样泵抽气口(12)；解吸部分(3)管路侧面设有载气入口(31)，解吸部分(3)的后端为与离子迁移率谱仪接口(32)； 其中，半透膜进样部分(2)位于管路中，包括半透膜(21)、半透膜温控装置(22);半透膜(21)热容量很小，径向设置，周缘固接于管路内壁； 使用时，采样泵抽气口(12)与采样泵相连通，载气入口(31)与载气源相连通，解吸部分(3)后端的接口(32)与离子迁移率谱仪漂移管相连通。3.如权利要求2所述的离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其特征在于所述半透膜(21)，为聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜，厚度为4微米 100微米；由金属网进行机械加固。4.如权利要求2所述的离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其特征在于所述半透膜温控装置(22)，包括具有低热容的加热器、测温元件、气路盘(13);加热器是由金属丝或金属薄皮绕制成的加热电阻，测温元件为微型热敏电阻或热电偶，气路盘(13)与半透膜(21)相适配，其后表面上有多个同心圆状气体通道，通过中心贯通孔与采样口(11)相通连；加热器、测温元件固定于气路盘(13)前表面，半透膜(21)位于气路盘(13)后面，半透膜(21)前表面与气路盘(13)后表面上的多个同心圆状气体通道紧贴。5.一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其特征在于包括采样部分(I)、半透膜进样部分(2)和解吸部分(3);采样部分(I)位于管路上游，后端与半透膜进样部分(2)前端固接，并连通，解吸部分(3)位于管路下游...
【专利技术属性】
技术研发人员：高晓光，贾建，李建平，何秀丽，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：
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