本发明专利技术公开了一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法及装置，涉及离子迁移率谱仪技术，该装置包括采样部分、半透膜进样部分和解吸部分，其中半透膜进样部分包括半透膜、半透膜温控装置；在离子迁移率谱仪半透膜富集进样过程中，采样时半透膜处于室温，而解吸时利用半透膜温控装置将半透膜加热至80℃～300℃。由于采样过程中半透膜处于室温，有利于被测物在半透膜中的富集；而解吸过程中半透膜加热至80℃～300℃，有利于其中富集的被测物在热解吸的同时更有效地透过半透膜进入离子迁移率谱仪漂移管。采用本发明专利技术装置及方法有效地降低离子迁移率谱仪的检测下限。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子迁移率谱仪
，是一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样 方法及装置。
技术介绍
离子迁移率谱技术是利用气相离子在弱电场中迁移率的不同来检测物质的方法， 其原理与飞行时间质谱相似，主要的区别是离子迁移率谱技术中离子的分离是在大气压或 接近大气压的环境下进行。离子迁移率谱仪(IMS Ion mobility spectrometer)主要由漂 移管以及外围的气路系统、电路系统组成，其中漂移管包括离化区、离子门、离子漂移区以 及法拉第盘等。在利用离子迁移率谱仪进行检测时，被检测物质进入漂移管离化区，在离化 源作用下形成带电离子，然后通过离子门进入漂移区，漂移区的电场强度一般在102V/cm的 量级，具有特定迁移率的离子在电场作用下，经过一定时间后到达法拉第盘并给出离子电 流信号。由于各种物质离子的迁移速率互不相同，根据漂移时间的不同可以实现对样品的 分离和检测。离子迁移率谱仪在大气环境气压下工作，与质谱等分析仪器相比具有体积小、重 量轻、功耗小、携带方便等优点，同时还能保证非常低的检测下限(皮克量级)，主要用于痕 量化学战剂、毒品以及爆炸物的实时检测。随着技术的发展，离子迁移率谱仪已经应用于战 场环境中的实时毒剂勘察、机场和重要地域的安全检查、环境中可挥发有机污染物的长期 监测以及化学工业中泄漏检测等。为了提高离子迁移率谱仪的抗干扰能力，降低外界环境水汽及杂质的影响，商品 化的漂移管多为封闭式结构，被测样品通过半透膜进入漂移管。由于半透膜对化学战剂、爆 炸物以及可挥发有机污染物等的透过率比较高，而对水汽的透过率较低，样品气体中所含 有的被测物可以通过半透膜，并被内部载气带入漂移管离化区，而水汽等干扰物质通过半 透膜的速度很慢，大部分被挡在漂移管外。半透膜进样方法大大降低了环境水汽对离子迁 移率谱仪的影响。以聚二甲基硅氧烷(PDMS)为代表的有机硅材料早在上世纪80年代就被用于离子 迁移率谱仪以分离气体样品中的有机被测物和水汽。传统的膜进样方法中，待测样品完全 依靠有机分子在半透膜前后分压的不同而自由扩散通过半透模，由于样品渗透效率及速度 与半透膜温度有很大关系，所以需要将半透膜稳定在50°C 300°C之间某个温度。中国专 利200510028968. 6,200810116735. 5都提出通过维持半透膜内外一定压差，加快待测样品 在半透膜中扩散速度的方法。这种方法有效提高了离子迁移率谱仪半透膜的进样效率，减 少了样品残留。但这种方法中半透膜内外存在一定压差，机械强度不高的半透膜在压差作 用下容易破损，不能加大半透膜面积以提高进样效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法及装置，以解决现有技术中离子迁移率谱仪半透膜进样方法效率不高的问题，能有效提高进样效率，降低 离子迁移率谱仪的检测下限。为达到上述目的，本专利技术的技术解决方案是一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法，其包括步骤a)在采样过程中，半透膜处于室温；b)而在解吸过程中，用半透膜温控装置或半透膜自加热功能，将半透膜加热至 80。。 300。。。一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其包括采样部分、半透膜进样部分 和解吸部分；采样部分位于管路上游，后端与半透膜进样部分前端固接，并连通，解吸部分 位于管路下游，前端与半透膜进样部分后端固接，并连通；采样部分的前端为采样口，采样 部分管路侧面设有采样泵抽气口 ；解吸部分管路侧面设有载气入口，解吸部分的后端为与 离子迁移率谱仪接口；其中，半透膜进样部分位于管路中，包括半透膜、半透膜温控装置；半透膜热容量 很小，径向设置，周缘固接于管路内壁；使用时，采样泵抽气口与采样泵相连通，载气入口与载气源相连通，解吸部分后端 的接口与离子迁移率谱仪漂移管相连通。所述的离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其所述半透膜，为聚二甲基硅氧 烷PDMS薄膜，厚度为4微米 100微米；由金属网进行机械加固。所述的离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其所述半透膜温控装置，包括具 有低热容的加热器、测温元件、气路盘；加热器是由金属丝或金属薄皮绕制成的加热电阻， 测温元件为微型热敏电阻或热电偶，气路盘与半透膜相适配，其后表面上有多个同心圆状 气体通道，通过中心贯通孔与采样口相通连；加热器、测温元件固定于气路盘前表面，半透 膜位于气路盘后面，半透膜前表面与气路盘后表面上的多个同心圆状气体通道紧贴。一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其包括采样部分、半透膜进样部分 和解吸部分；采样部分位于管路上游，后端与半透膜进样部分前端固接，并连通，解吸部分 位于管路下游，前端与半透膜进样部分后端固接，并连通；采样部分的前端为采样口，采样 部分管路侧面设有采样泵抽气口 ；解吸部分管路侧面设有载气入口，解吸部分的后端为与 离子迁移率谱仪接口；其中，半透膜进样部分位于管路中，包括气路盘、半透膜；半透膜热容量很小，径向 设置，周缘固接于管路内壁；半透膜为聚二甲基硅氧烷PDMS薄膜，在薄膜表面固接双螺旋结构的金属丝，并有 边框，边框固接于管路内壁，金属丝作为聚二甲基硅氧烷PDMS薄膜的骨架，起到加固薄膜， 提高薄膜机械强度的作用，同时金属丝是半透膜的加热电极及测温电阻，具有自加热功能， 以实现半透膜加热控温；气路盘与半透膜相适配，其后表面上有多个同心圆状气体通道，通过中心贯通孔 与采样口相通连；气路盘覆于半透膜前面，气路盘后表面上的多个同心圆状气体通道紧贴 半透膜表面；使用时，采样泵抽气口与采样泵相连通，载气入口与载气源相连通，解吸部分后端 的接口与离子迁移率谱仪漂移管相连通。所述的离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其所述半透膜，厚度在4 100微米之间；其边框为非金属材料制备的框架，厚度在O. 5 Imm之间；金属丝为双螺旋结构， 以钼丝或镍铬丝制作，位于半透膜的中心部分。所述的离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其工作流程是I)在半透膜处于室温时，启动采样泵，气体样品由采样口进入，经气路盘同心圆状气体通道放出，流经半透膜前表面后，经采样泵抽气口排出；2)经过一段时间完成采样后，关闭采样泵；3)启动半透膜温控装置对半透膜加热，或启动半透膜自加热功能加热，将半透膜升温至80°C 300°C之间的恒定温度，使富集于半透膜的被测物解吸后，被从载气入口进入的载气携带，由接口带入离子迁移率谱仪漂移管。·本专利技术的进样装置，优点是被测物在半透膜的富集基于吸收或吸附机理。被测物在半透膜上的吸收或吸附过程是一个放热过程，采样过程中半透膜温度越高，被测物在半透膜中的分配系数就越低，半透膜的富集效率就越低。在本专利技术离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法中，通过采样过程中控制半透膜处于较低温度，促进被测物在半透膜中的富集；采样过程结束后，通过半透膜温控装置加热半透膜，实现半透膜中被测物的热解吸，从而使得半透膜具有样品预富集的功能，降低了离子迁移率谱仪的检测下限。附图说明图1为离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置的结构示意图2为一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置的剖面结构示意图3为传统半透膜进样方法及本专利技术方法得到的一种被测样品离子迁移率谱图4为另一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置的剖面结构示意图5为一种离子迁移率本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法，其特征在于：包括步骤：a)在采样过程中，半透膜(21)处于室温；b)而在解吸过程中，用半透膜温控装置(22)或半透膜(21)自加热功能，将半透膜(21)加热至80℃～300℃。
【技术特征摘要】
1.一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法，其特征在于包括步骤 a)在采样过程中，半透膜(21)处于室温； b)而在解吸过程中，用半透膜温控装置(22)或半透膜(21) 自加热功能，将半透膜(21)加热至80°C 300°C。2.一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其特征在于包括采样部分(I)、半透膜进样部分(2)和解吸部分(3);采样部分(I)位于管路上游，后端与半透膜进样部分(2)前端固接，并连通，解吸部分(3)位于管路下游，前端与半透膜进样部分(2)后端固接，并连通；采样部分(I)的前端为采样口(11)，采样部分(I)管路侧面设有采样泵抽气口(12)；解吸部分(3)管路侧面设有载气入口(31)，解吸部分(3)的后端为与离子迁移率谱仪接口(32)； 其中，半透膜进样部分(2)位于管路中，包括半透膜(21)、半透膜温控装置(22);半透膜(21)热容量很小，径向设置，周缘固接于管路内壁； 使用时，采样泵抽气口(12)与采样泵相连通，载气入口(31)与载气源相连通，解吸部分(3)后端的接口(32)与离子迁移率谱仪漂移管相连通。3.如权利要求2所述的离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其特征在于所述半透膜(21)，为聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜，厚度为4微米 100微米；由金属网进行机械加固。4.如权利要求2所述的离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其特征在于所述半透膜温控装置(22)，包括具有低热容的加热器、测温元件、气路盘(13);加热器是由金属丝或金属薄皮绕制成的加热电阻，测温元件为微型热敏电阻或热电偶，气路盘(13)与半透膜(21)相适配，其后表面上有多个同心圆状气体通道，通过中心贯通孔与采样口(11)相通连；加热器、测温元件固定于气路盘(13)前表面，半透膜(21)位于气路盘(13)后面，半透膜(21)前表面与气路盘(13)后表面上的多个同心圆状气体通道紧贴。5.一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样装置，其特征在于包括采样部分(I)、半透膜进样部分(2)和解吸部分(3);采样部分(I)位于管路上游，后端与半透膜进样部分(2)前端固接，并连通，解吸部分(3)位于管路下游...
【专利技术属性】
技术研发人员：高晓光，贾建，李建平，何秀丽，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：
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