【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种检查SAT(次常压化学汽相淀积设备)汽化阀堵塞的方法。
技术介绍
BPSG(硼磷硅玻璃)是集成电路中应用于制品金属前绝缘层。由于在二氧化硅中掺杂了 B (硼)元素和P (磷)元素,因此其本身有较好的平坦性或和CMP (化学机械抛光设备)构成平坦化工艺,能够对杂质(Na+)进行吸附。气化阀是将液态源硼源和磷源进行气化成气体,再参与化学反应生成BPSG的一个部件。气化阀内部畅通时,生产的BPSG膜层中BP浓度在不同的深度均匀分布;气化阀内部堵塞时,会导致反应的初始阶段气化能力异常,导致两个后果,即反应的初始阶段BP掺杂不足或者过量,造成成膜初期浓度大幅偏低或者大幅偏高,这样的结果是导致整个BPSG膜层中出现BP析出或者膜BPSG膜层剥落,导致绝缘层失效。传统的方法通过对BPSG膜层进行SMS (二次离子质谱分析)分析,分析其中BP浓度的分布是否在成膜初期会有大幅偏低或者大幅偏高来判断汽化阀是否堵塞,但是这种方法耗时长,费用高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种检查SAT汽化阀堵塞的方法,能快速检测BPSG成膜是否有浓度异常,能准确判断汽化阀是否堵塞。为解决上述技术问题本专利技术的检查SAT汽化阀堵塞的方法,包括以下步骤(I)通过一次成膜制作硼磷硅玻璃光片,作为测试片一;(2)采用与步骤(I)相同工艺和参数通过多次成膜制作与测试片一厚度相同的硼磷娃玻璃光片,作为测试片二 ;(3)对测试片一和测试片二进行硼磷浓度测量;(4)比较测试片一和测试片二中的硼磷浓度;当硼浓度相差大于等于O. 4m0l%,磷浓度 ...
【技术保护点】
一种检查SAT汽化阀堵塞的方法,其特征是,包括以下步骤:(1)通过一次成膜制作硼磷硅玻璃光片,作为测试片一;(2)采用与步骤(1)相同工艺和参数通过多次成膜制作与测试片一厚度相同的硼磷硅玻璃光片,作为测试片二;(3)对测试片一和测试片二进行硼磷浓度测量;(4)比较测试片一和测试片二中的硼磷浓度;当硼浓度相差大于等于0.4mol%,磷浓度相差大于等于0.2mol%,判定汽化阀堵塞;当硼浓度相差小于0.4mol%,磷浓度相差小于0.2mol%,判定汽化阀畅通。
【技术特征摘要】
1.一种检查SAT汽化阀堵塞的方法,其特征是,包括以下步骤(1)通过一次成膜制作硼磷硅玻璃光片,作为测试片一;(2)采用与步骤(I)相同工艺和参数通过多次成膜制作与测试片一厚度相同的硼磷硅玻璃光片,作为测试片二 ;(3)对测试片一和测试片二进行硼磷浓度测量;(4)比较测试片一和测试片二中的硼磷浓度;当硼浓度相差大于等于O...
【专利技术属性】
技术研发人员:程望阳,严玮,周俊,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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