【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种气相蚀刻设备，特别是涉及一种具有多腔体的气相蚀刻设备。
技术介绍
蚀刻技术可以分为『湿蚀刻』(wet etching)、『干蚀刻』(dry etching)两类。传统区域性蚀刻是将目标材料，先定义欲蚀刻的位置与面积后利用液态化学溶液 直接接触目标材料与之进行蚀刻反应，或物理撞击作用而移除的技术。其中湿蚀刻，又称液相蚀刻，是将目标材料浸没于适当的化学溶液中，或将液相化学溶液喷洒至目标材料上，经由溶液与被蚀刻物间的化学反应，来移除目标材料上的层膜，以达到蚀刻的目的。但在湿蚀刻过程，制程步骤复杂且液相化学品分子体积大、接触目标材料的表面积小，故蚀刻制程时间冗长。而干蚀刻通常是一种电衆蚀刻(plasma etching),电衆蚀刻中的蚀刻作用，但目前两种普遍使用的蚀刻技术皆须经过多道复杂制作程序达到蚀刻效果，且干蚀刻的缺点有对底层的低选择性，组件遭受电浆损坏的风险及昂贵的设备。湿蚀刻则有等向性的问题，易造成蚀刻偏差，因此制作步骤复杂且成本高。有鉴于此，本技术人凭借多年从事相关产业的开发经验，针对现有蚀刻制作过程及其设备在使用上所面临的问题深入探讨，通过大量...
【技术保护点】
一种具有多腔体的气相蚀刻设备，至少包括：一工作腔体，利用一制程气体以蚀刻一物件对象，并产生一残余气体，该工作腔体具有一第一开口，且该工作腔体内具有一腔体压力；一除气腔体，包覆所述工作腔体，且该除气腔体具有一第二开口，该除气腔体内具有一除气压力，且所述腔体压力大于该除气压力，以排出该残余气体；以及一防护腔体，包覆所述除气腔体，该防护腔体内具有一气体压力，且该气体压力大于所述除气压力，藉此挤压所述除气压力。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚理，
申请(专利权)人：晶呈科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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