【技术实现步骤摘要】
本技术涉及到半导体生产行业中的离子注入机台，尤其涉及离子分离装置。
技术介绍
在离子注入机台中，离子的产生是通过电子轰击气体而得到的。离子离开离子源后会经过一个叫萃取(extraction)的装置，这个装置的目的是为了防止二次电子和萃取出离子。萃取装置上有两个电极，一个是电极抑制端(Electrode Suppression),—个电电极接地端(Electrode Ground)。通常萃取装置工作时，需要在电极抑制端上加-5KV到-10KV的电压，并将电极接地端接地，离子先经过电极抑制端再经过电极接地端。为了电极抑制端可以上下以及前后活动，所以在电极抑制端和外界相连的地方安装了一个活动部件(bellow),电极抑制端上的电压是通过bellow导向电极抑制端的；而在bellow下方装了一个绝缘子，这个绝缘子的目的是为了让bellow上的电压和extraction的本体绝缘。但在实际生产过程中，由于离子源出来的多样性，导致绝缘子容易被溅射到并被污染。由于绝缘 子紧紧贴着bellow, —旦bellow加的电压很大,bellow和绝缘子在受到污染很严重的情况下，绝缘子...
【技术保护点】
一种离子分离装置，其特征在于，包括：萃取机本体，顶部提供一开口；第一绝缘子，固定于所述萃取本体机开口内；活动部件，下端固定连接在所述第一绝缘子的上端；第一罩子，固定连接在所述活动部件上端的外周，并且开口朝上；第二绝缘子，下端与所述活动部件的定端固定连接；第二罩子，固定连接在所述第二绝缘子上端的外周表面，开口朝下并罩在所述第一罩子的外围；石墨盘，位于所述第二罩子上方并电连接所述第二罩子，所述石墨盘的盘面垂直于所述第二绝缘子上端表面；电源线，一端连接所述第二罩子，另一端连接一电源。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许飞，陈立峰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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