气体输入装置和等离子体加工设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种气体输入装置和等离子体加工设备，其中所述气体输入装置，包括：喷嘴，其具有第一通道，以及与第一通道连通的喷嘴旁路；盖板，其内具有凹槽和多个第二通道，凹槽基本位于盖板的中心位置，多个第二通道围绕凹槽的中心线在盖板内均匀分布；其中，所述喷嘴嵌入所述凹槽内，所述第一通道的出气端由凹槽的底部伸出盖板，所述多个第二通道的进气端与所述喷嘴旁路相连通；所述多个第二通道形成为多层结构。气体输入装置和等离子体加工设备能够在所处理的晶片整个表面上方获得均匀的气流分布，进而能够有效避免在晶片表面上方中央到边缘气体分布不均匀而造成的刻蚀或沉积不均匀现象，使得在整个晶片表面上各点的刻蚀或沉积速率更加相近。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体加工
，特别涉及一种气体输入装置和等离子体加工设备。
技术介绍
集成电路、太阳能电池的制造过程中，通常需要使用等离子体加工设备对单晶硅等半导体晶片进行薄膜沉积、刻蚀等加工工艺。而在等离子体加工设备中，气体输入装置通常是为半导体晶片的加工提供所需的工艺气体，也可以在特定情况下或设备维护时提供所需辅助气体。 目前，在集成电路或MEMS器件的制造工艺中广泛应用等离子体加工设备。例如，电感耦合等离子体装置通常用在干法刻蚀(Dry Etching)或化学气相沉积(CVD)工艺中，其原理是加工半导体晶片时，气体输入装置向反应腔中输入工艺气体，工艺气体在射频功率的激发下，产生电离而形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔中的工艺气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团，通过射频电源的电磁场能量耦合，将工艺气体激发成等离子态，从而对反应腔内的半导体晶片表面进行相应的材料刻蚀或沉积，而刻蚀或沉积反应的生成物及残余气体脱离半导体晶片表面，并被真空系统抽出反应腔。例如，图I为目前常用的一种电感耦合等离子体装置的结构示意图，工艺气体通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体输入装置(12)，其特征在于，包括：喷嘴(14)，所述喷嘴(14)具有第一通道(141)，以及与所述第一通道(141)连通的喷嘴旁路(142)；盖板(13)，所述盖板(13)内具有凹槽(131)和多个第二通道(132)，所述凹槽(131)基本位于所述盖板(13)的中心位置，所述多个第二通道(132)围绕所述凹槽(131)的中心线在所述盖板(13)内均匀分布；其中，所述喷嘴(14)嵌入所述凹槽(131)内，所述第一通道(141)的出气端(141b)从所述凹槽(131)的底部伸出盖板，所述多个第二通道(132)的进气端(132a)与所述喷嘴旁路(142)相连通；所述多个第二通道(132)形...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林挺昌，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：