【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导 体制造装置，尤其是用于输送反应物气体到处理腔室的系统。
技术介绍
在半导体制造工艺中，多个场合需要使用反应物气体。例如在化学气相沉积(CVD)中，不同反应物的反应物气体同时被输送给反应腔内的一个或多个衬底，并且在预设的温度和压力下彼此反应以在衬底上生长薄膜。又如在原子层沉积(ALD)中，交替并重复地向反应腔内的衬底输送不同的反应物气体形成分子单层薄膜，以与前一种反应物形成的分子单层进行反应，直至达到目标厚度。或者在等离子体干法蚀刻工艺中，蚀刻气体与惰性气体同时被输送至反应腔，在电场的作用下，蚀刻气体轰击衬底，以物理和/或化学作用削减衬底的厚度。参见图I所示的现有的气体输送系统与反应腔连接的示意图，反应气体或者惰性气体首先通过过滤器，再通过流量调节阀门后进入反应腔。然而，在某些工艺中，前级管道(foreline)中的气体会出现返流的情况，返流气体进入过滤器之后，可能会导致过滤器的污染，导致其过滤效果下降，一方面缩短过滤器的使用寿命、使得生产成本上升；另一方面导致进入反应腔的反应气体带有杂质，影响局部放电性能以及成品率，严重时可能会导致衬底的报废。技...
【技术保护点】
一种气体输送系统，包括连接至气源的气体入口、连接至反应腔的气体出口；连接于气体入口与气体出口之间的过滤器；连接于过滤器与气体出口之间的流量控制阀；其特征在于，该气体输送系统还包括连接于过滤器与流量控制阀之间的止回阀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑修锋，解毅，朱义党，胡可绿，王华钧，忻圣波，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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