【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件制造控制系统，即离子注入机，特别地，涉及一种用于宽束离子注入机的引出电极系统，属于半导体装备制造领域。
技术介绍
在半导体制造工艺设备离子注入机中，离子源引出系统是整机设备关键部件之一，其与离子源本体结合在一起构成离子注入机的核心部件-离子源系统；其决定了离子注入机诸多性能指标，如离子源系统的引出束流大小、引出能量大小、引出束流品质及束稳定性能等。离子注入机离子源引出电极系统一般采用的是加减速三电极结构，但是当我们为 了得到低能大束流时，将采用宽缝离子源，这种情况下，三电极结构将很难精确调节引出缝和离子源引出缝的位置，本专利技术提供了一种用于宽束离子注入机的引出电极系统，能够在四个方向调节引出电极的位置，以精确调节引出电极引出缝和离子源的位置。
技术实现思路
本专利技术涉及一种用于宽束离子注入机的引出电极系统。本专利技术所涉及的实施例包括以下结构件Y1方向运动机构⑴，移动支架⑵，安装法兰(3)，引出电极(4)，抑制电极(5)，Y2方向运动机构(6)，Zl方向运动机构(7)，Ζ2方向运动机构(8)，用于连接抑制电极(5)和引出电极⑷的连接柱...
【技术保护点】
一种用于宽带束离子注入机的引出电极系统，包括：Y1方向运动机构(1)，移动支架(2)，安装法兰(3)，引出电极(4)，抑制电极(5)，Y2方向运动机构(6)，Z1方向运动机构(7)，Z2方向运动机构(8)，用于连接抑制电极(5)和引出电极(4)的连接柱(9)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓颖辉，彭立波，林萍，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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