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本发明公开一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，包括：对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力80mTorr，时间为4分钟；对硅片进行预处理，温度420℃，一氧化二氮流量为3.8~5.2slm，压力为1700mTorr，预处理3分钟；压...该专利属于东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司授权不得商用。