通过嵌入隧穿纳米结构的高能量存储电容器制造技术

在全电子电池(AEB)中，嵌入到电容器的两电极之间的有源区内的夹杂物提供增加的能量存储。电子可去往/来自夹杂物和/或在夹杂物之间隧穿，由此相比传统电容器增加了电荷存储密度。一个或多个电池层存在于AEB中以阻止DC电流流过该设备。AEB效应可通过使用多层有源区予以提高，该多层有源区具有带夹杂物的多个夹杂物层，所述多个夹杂物层由不具有夹杂物的间隔层分隔。平面几何形状的电极和/或势垒层的圆柱几何形状或其周围的包裹的使用能提高基础AEB效应。可伴随AEB效应一起采用的其它物理效应是激发态能量存储以及玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)的形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及能量存储。
技术介绍
能量存储对于大量和多种的电子设备，特别是对于移动设备和电动车辆或混合动力车辆而言是至关重要的组成部分。能量存储器件是基于多种物理效应的。例如，可利用电场来在电容器中存储能量，以及可利用化学反应(包括离子运动)来在电池中存储能量。然而，电容器中的能量存储可能受到器件几何形状的限制(例如，2-D电容器板具有有限面积)，并且电池可能由于电化学反应中固有的离子运动而具有缓慢的响应时间。电池供电的设备(诸如混合动力车辆或电动车辆)经常在性能方面受制于电池单位重量所存储的较低能量。电池由于电化学反应产生的低电压以及存储在电池中的离子的较大尺寸和重量而具有低的存储密度。电池中缓慢的离子迁移也导致缓慢的充电和放电性能。进一步，现有电池对离子迁移的依赖性导致电池较高的退化率。因此，业内的一大进步是提供具有能量密度比电容器更高、充电/放电比电池更快和/或寿命比电池长得多的能量存储。
技术实现思路
通过单独或组合地利用若干种物理效应而提供改进的能量存储器。第一种效应可称为全电子电池(AEB)效应，且涉及使用嵌入到电容器两个电极之间的有源区内的夹杂物。电子可去往/来自夹杂物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·P·霍姆，F·B·普林兹，P·B·范斯多科姆，
申请(专利权)人：小利兰·斯坦福大学托管委员会，
类型：
国别省市：